安全散列算法(sha-1)器件 文章 進(jìn)入安全散列算法(sha-1)器件技術(shù)社區(qū)
IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導(dǎo)體器件的代表,IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到,電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件,
- 關(guān)鍵字: 器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
VDMOS器件損傷的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預(yù)兆單元設(shè)計
- 航天用DC/DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下,輻射損傷是其主要失效機(jī)理。DC/DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個航天器的可靠性,國內(nèi)外廣泛研究了DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機(jī)理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
- 關(guān)鍵字: DC 預(yù)兆 單元 設(shè)計 輻射 轉(zhuǎn)換器 器件 損傷 VDMOS DC/DC轉(zhuǎn)換器
Atmel推出SHA-256密碼認(rèn)證IC系列 保護(hù)數(shù)據(jù)安全
- 愛特梅爾公司(Atmel?Corporation)宣布推出AT88SA系列最低成本、超低功耗的安全密碼認(rèn)證IC,該系列中的首...
- 關(guān)鍵字: Atmel AT88SA系列 SHA-256密碼認(rèn)證
電子制造業(yè)到底爭什么?一場技術(shù)的較量
- 據(jù)相關(guān)報道,電子制造業(yè)3月份開始出現(xiàn)積極現(xiàn)象,但形勢依然嚴(yán)峻。工信部統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,一季度,電子產(chǎn)品出口交貨值同比下降15.5%,其中3月份下降10.1%,降幅比前兩個月減緩8.9個百分點。電子制造業(yè)生產(chǎn)、出口大幅下滑趨勢有所減緩。 統(tǒng)計還顯示,行業(yè)經(jīng)濟(jì)效益下滑的趨勢并未扭轉(zhuǎn)。1-2月,電子行業(yè)實現(xiàn)利潤6.8億元,同比下降96.3%。 由以上信息可以看出,電子制造業(yè)目前困境仍在,而且要改變現(xiàn)有狀態(tài),電子業(yè)該從哪方面下手? 電子制造業(yè)困境 由于全球經(jīng)濟(jì)增長速度放緩,市場總體需求萎縮
- 關(guān)鍵字: 電子 器件 平板顯示器
新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)
- 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu),該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散,形成體接觸的側(cè)面引出,適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且,該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下,通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
- 關(guān)鍵字: SOI 器件
安全散列算法(sha-1)器件介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條安全散列算法(sha-1)器件!
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