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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 安全散列算法(sha-1)器件

          IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏

          •   新型電力半導(dǎo)體器件的代表,IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到,電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。   眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件,
          • 關(guān)鍵字: 器件  IGBT  封裝  測試  MOSFET  

          LCD顯示屏的器件選擇和驅(qū)動電路設(shè)計


          • 如何實現(xiàn)LCD平板顯示屏驅(qū)動電路的高性能設(shè)計是當(dāng)前手持設(shè)備設(shè)計工程師面臨的重要挑戰(zhàn)。本文分析了LCD顯示面板的分類和性能特點,介紹了LCD顯示屏設(shè)計中關(guān)鍵器件LDO和白光LED的選擇要點,以及電荷泵LED驅(qū)動電路的
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動  電路設(shè)計  選擇  器件  顯示屏  LCD  LCD  

          雙向過壓過流保護(hù)器件NCP370 的原理及應(yīng)用

          • 0 引言
            NCP370是安森美半導(dǎo)體(0N Semiconductor)公司生產(chǎn)的具有過壓、過流保護(hù)及反向控制功能的集成雙向保護(hù)器件。該器件可以提供高達(dá)+28V的正向保護(hù)和低至-28 V的負(fù)向保護(hù)功能,從而提高對便攜設(shè)備前端的保護(hù)
          • 關(guān)鍵字: 原理  應(yīng)用  NCP370  器件  保護(hù)  雙向  

          VDMOS器件損傷的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預(yù)兆單元設(shè)計

          • 航天用DC/DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下,輻射損傷是其主要失效機(jī)理。DC/DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個航天器的可靠性,國內(nèi)外廣泛研究了DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機(jī)理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
          • 關(guān)鍵字: DC  預(yù)兆  單元  設(shè)計  輻射  轉(zhuǎn)換器  器件  損傷  VDMOS  DC/DC轉(zhuǎn)換器  

          TKScope支持JTAG菊花鏈連接的多器件仿真

          • TKScope支持JTAG菊花鏈連接的多器件仿真,多個ARM器件的調(diào)試需要將硬件連接成菊花鏈的形式。這樣,只需要一個JTAG接口就能夠?qū)栈ㄦ溕系娜我釧RM器件進(jìn)行仿真調(diào)試。而TKScope正支持這種菊花鏈連接的多器件仿真模式。

          • 關(guān)鍵字: 器件  仿真  連接  菊花  支持  JTAG  TKScope  

          功率器件在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用

          • 我國20世紀(jì)80年代以前的靜止變頻技術(shù)由于受到電力電子器件技術(shù)的影響,一直處于停滯不前的狀態(tài),各個行業(yè)感應(yīng)加熱用中頻電源基本上使用中頻變頻電機(jī)供電。隨著20世紀(jì)90年代初電力電子器件的發(fā)展,目前國內(nèi)中頻電
          • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  應(yīng)用  變頻  靜止  器件  功率  電源  

          PSD813器件在單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用

          鍵盤顯示專用器件HD7279A的接口設(shè)計

          • 介紹鍵盤顯示專用器件HD7279A的性能和使用,該器件是常用鍵盤顯示專用器件INTEL8279的升級換代產(chǎn)品,與ZLG7289或ZLG7290具有類似的功能,但外圍電路更簡單。HD7279A具有串行接口簡單,占用單片機(jī)資源少,可同時驅(qū)動8位共陰式數(shù)碼管.連接64鍵鍵盤等特點。給出與單片機(jī)的具體連接電路,控制4位共陰極7段LED的顯示,可管理16鍵鍵盤和軟件流程。
          • 關(guān)鍵字: 接口  設(shè)計  HD7279A  器件  顯示  專用  鍵盤  

          實時時鐘器件M41T94在配網(wǎng)監(jiān)測終端中的應(yīng)用

          • 摘要:介紹具有SPI接口的多功能實時時鐘器件M41T94,它具有精度高、功耗低等特點。提出一種M41T94在配網(wǎng)監(jiān)測終端中的應(yīng)用設(shè)計。結(jié)合單片機(jī)C8051F340的控制,給出配網(wǎng)監(jiān)測終端實時時鐘模塊的軟硬件設(shè)計。
            關(guān)鍵詞:實
          • 關(guān)鍵字: 監(jiān)測  終端  應(yīng)用  配網(wǎng)  M41T94  時鐘  器件  實時  

          太陽能發(fā)電系統(tǒng)對半導(dǎo)體器件的需求分析

          •   太陽能逆變器是整個太陽能發(fā)電系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。它把光伏單元可變的直流電壓輸出轉(zhuǎn)換為清潔的50Hz或60Hz的正弦電壓源,從而為商用電網(wǎng)或本地電網(wǎng)供電。因為太陽電池板的光電轉(zhuǎn)換效率可能受到陽光照射的角度、云層
          • 關(guān)鍵字: 需求  分析  器件  半導(dǎo)體  發(fā)電  系統(tǒng)  太陽能  

          Atmel推出SHA-256密碼認(rèn)證IC系列 保護(hù)數(shù)據(jù)安全

          • 愛特梅爾公司(Atmel?Corporation)宣布推出AT88SA系列最低成本、超低功耗的安全密碼認(rèn)證IC,該系列中的首...
          • 關(guān)鍵字: Atmel  AT88SA系列  SHA-256密碼認(rèn)證  

          電子制造業(yè)到底爭什么?一場技術(shù)的較量

          •   據(jù)相關(guān)報道,電子制造業(yè)3月份開始出現(xiàn)積極現(xiàn)象,但形勢依然嚴(yán)峻。工信部統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,一季度,電子產(chǎn)品出口交貨值同比下降15.5%,其中3月份下降10.1%,降幅比前兩個月減緩8.9個百分點。電子制造業(yè)生產(chǎn)、出口大幅下滑趨勢有所減緩。   統(tǒng)計還顯示,行業(yè)經(jīng)濟(jì)效益下滑的趨勢并未扭轉(zhuǎn)。1-2月,電子行業(yè)實現(xiàn)利潤6.8億元,同比下降96.3%。   由以上信息可以看出,電子制造業(yè)目前困境仍在,而且要改變現(xiàn)有狀態(tài),電子業(yè)該從哪方面下手?   電子制造業(yè)困境   由于全球經(jīng)濟(jì)增長速度放緩,市場總體需求萎縮
          • 關(guān)鍵字: 電子  器件  平板顯示器  

          基于電荷耦合器件的雷達(dá)視頻積累電路

          • 摘要:電荷耦合器件是一種發(fā)展前景良好的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)集成電路。該電路廣泛應(yīng)用于彩色成像、信號處理等相關(guān)領(lǐng)域。文介紹一種用CCD32l型電荷藕合器件設(shè)計和實現(xiàn)的脈沖雷達(dá)視頻積累電路,目的在于探討使用該器
          • 關(guān)鍵字: 電荷耦合  器件  雷達(dá)視頻  積累    

          新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

          • 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu),該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散,形成體接觸的側(cè)面引出,適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且,該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下,通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
          • 關(guān)鍵字: SOI  器件    

          DC/DC輻照損傷與VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性研究

          • 通過對DC/DC轉(zhuǎn)換器低頻噪聲測試技術(shù)以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對比分析,發(fā)現(xiàn)使用低頻噪聲表征DC/DC轉(zhuǎn)換器的可靠性是對傳統(tǒng)電參數(shù)表征方法的一種有效補充。對DC/DC轉(zhuǎn)換器輻照損傷與其內(nèi)部VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性進(jìn)行了研究,討論了引起DC/DC轉(zhuǎn)換器輻照失效的原因。
          • 關(guān)鍵字: DC  相關(guān)性  研究  噪聲  VDMOS  輻照  損傷  器件  轉(zhuǎn)換器  
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          安全散列算法(sha-1)器件介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條安全散列算法(sha-1)器件!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對安全散列算法(sha-1)器件的理解,并與今后在此搜索安全散列算法(sha-1)器件的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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