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電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）

　　1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路　　電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成滿(mǎn)足一定關(guān)系的電流信號(hào)，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個(gè)輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會(huì)隨負(fù)載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。　　　　由圖1可見(jiàn)，電路中的主要元件為一運(yùn)算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負(fù)載電阻。其中運(yùn)算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號(hào)與反相端電壓V-進(jìn)行比較，經(jīng)運(yùn)算放大器放大后再經(jīng)三極管放
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏家。　　據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開(kāi)始愈來(lái)愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計(jì)資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
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2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴(kuò)大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

　　在存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴(kuò)大，全球企業(yè)間的競(jìng)爭(zhēng)也將漸趨激烈。　　據(jù)韓國(guó)MT News報(bào)導(dǎo)，2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大10倍，而除目前獨(dú)占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨(dú)大V-NAND市場(chǎng)，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。　　外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類(lèi)，V-N
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三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

　　全球先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤(pán)的業(yè)內(nèi)首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。　　三星電子存儲(chǔ)芯片營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)負(fù)責(zé)人韓宰洙高級(jí)副總裁表示：“通過(guò)推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn)，我們相信3bit V-NAND將會(huì)加快數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備從傳統(tǒng)硬盤(pán)向固態(tài)硬盤(pán)的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的多樣化，將加強(qiáng)三星產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤(pán)業(yè)務(wù)的發(fā)展?！? 　　3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品，每
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AMETEK Sorensen可編程電源的保護(hù)特性

　　可編程電源是電氣實(shí)驗(yàn)室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器，用以獲得測(cè)試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低，并只帶有基本的控制裝置：一個(gè)開(kāi)啟/關(guān)閉開(kāi)關(guān)及兩個(gè)用于調(diào)節(jié)電壓電流的旋鈕。在未來(lái)，旋鈕調(diào)節(jié)將繼續(xù)會(huì)是首選方法，因?yàn)槠淇蓡为?dú)且靈活的改變電壓或電流，從而直觀的觀察其他測(cè)量?jī)x器或被測(cè)部件性能。　　對(duì)低成本應(yīng)用中的大多數(shù)電源而言保護(hù)功能不是必須考慮的因素，但是在一些測(cè)試應(yīng)用中，會(huì)要求使用很小電壓范圍，如2.0%- 20%范圍，否則會(huì)很容易損壞設(shè)備，這就為使用者提出了新的要求。　　AMET
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基于FPGA的高帶寬存儲(chǔ)接口設(shè)計(jì)

　　摘要：文中詳細(xì)地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲(chǔ)控制器底層架構(gòu)和外部接口，并在此基礎(chǔ)上對(duì)Controller和PHY進(jìn)行了功能仿真。仿真結(jié)果表明硬核存儲(chǔ)控制器和PHY配合工作時(shí)的功能與設(shè)計(jì)預(yù)期相符，性能優(yōu)良，適合于在當(dāng)前FPGA的外部存儲(chǔ)帶寬需求日益增長(zhǎng)的場(chǎng)合下應(yīng)用。　　如今，越來(lái)越多的應(yīng)用場(chǎng)景都需要FPGA能夠和外部存儲(chǔ)器之間建立數(shù)據(jù)傳輸通道，如視頻、圖像處理等領(lǐng)域，并且對(duì)數(shù)據(jù)傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求，這就導(dǎo)致了FPGA和外部Memory接口的實(shí)際有效帶寬
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Mouser 備貨 Freescale Kinetis KV1x 微控制器面向數(shù)字電機(jī)控制市場(chǎng)

　　貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始供應(yīng)Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列產(chǎn)品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 產(chǎn)品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入門(mén)級(jí)產(chǎn)品，此可擴(kuò)展的微控制器 (MCU) 系列產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用市場(chǎng)為數(shù)字電機(jī)控制。采用 75 MHz ARM® Cortex?M0+ 內(nèi)核的 Kinetis KV1x 系列產(chǎn)品具有整數(shù)除法和平方根協(xié)處理器，從而降低了因需要
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V-Band 微波小站回傳，TDD還是FDD？

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存

　　全球存儲(chǔ)領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開(kāi)始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結(jié)構(gòu)的“32層三維V-NAND閃存”。　　三星電子此次推出的32層三維V-NAND，與之前推出的24層V-NAND相比，雖然堆疊存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)難度更高，但是因?yàn)榭梢灾苯邮褂蒙a(chǎn)第一代V-NAND閃存的設(shè)備，所以具有更高的生產(chǎn)效率。　　除此之外，三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤(pán)系列產(chǎn)品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數(shù)據(jù)中心推
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一種電流溫度穩(wěn)定度小于1μA/℃的V/I變換器

本文介紹一種高溫度穩(wěn)定度的V/I變換器電路，通過(guò)一種可以調(diào)節(jié)溫度變化量的溫度補(bǔ)償電路，使V/I變換器的輸出電流溫度穩(wěn)定度小于1μA /℃。應(yīng)用于對(duì)電流穩(wěn)定度要求極高的傳感器信號(hào)處理或精密儀器儀表電路。
關(guān)鍵字： V/I 變換器傳感器二極管溫度補(bǔ)償 201406

MAX34451 PMBus 16通道V/I監(jiān)視器

概述MAX34451是一個(gè)電源系統(tǒng)管理員能夠監(jiān)控多達(dá)16種不同的電壓軌或電流，也能多達(dá)12個(gè)電源排序和裕。系統(tǒng)管 ...
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三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。　　三星稱(chēng)，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫(xiě)入性能也可達(dá)到1xnm N
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Mouser提供業(yè)界領(lǐng)先的Altera Cyclone V低功耗FPGA

Mouser Electronics正在備貨Altera公司業(yè)界領(lǐng)先的28-nm Cyclone? V FPGA。 Cyclone V FPGA結(jié)合了高性能、業(yè)界最低的操作功耗以及系統(tǒng)成本，是工業(yè)、無(wú)線(xiàn)、有線(xiàn)、廣播和汽車(chē)應(yīng)用的理想選擇。
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高速橋接芯片V-by-One HS 擴(kuò)大生產(chǎn)滿(mǎn)足超高清電視需求

　　V-by-One HS 是THine Electronics公司開(kāi)發(fā)的下一代高速橋接芯片，為迎合電視市場(chǎng)客戶(hù)的要求，V-by-One? HS的新產(chǎn)品 THCV226已開(kāi)始量產(chǎn)，并開(kāi)始進(jìn)行擴(kuò)大生產(chǎn)。
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高速橋接芯片V-by-One HS 擴(kuò)大生產(chǎn)的通知

V-by-One? HS 是我公司開(kāi)發(fā)的下一代高速橋接芯片，又作為數(shù)字產(chǎn)品的下一代接口，已成為事實(shí)上的信息傳輸技術(shù)(現(xiàn)在的世界標(biāo)準(zhǔn))?，F(xiàn)在，為迎合電視市場(chǎng)客戶(hù)的要求，V-by-One? HS的新產(chǎn)品 THCV226已開(kāi)始量產(chǎn)，并開(kāi)始進(jìn)行擴(kuò)大生產(chǎn)。
關(guān)鍵字：芯片 V-by-One THCV226