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	寬帶隙
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
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          • 關鍵字：
                        202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏                          
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          寬帶隙(WBG)半導體: 切實可靠的節(jié)能降耗解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 減少能源轉換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導體是一個切實可靠的節(jié)能降耗解決方案，可以通過系統(tǒng)方式減少碳足跡來減輕技術對環(huán)境的影響。例如，我們最新的 650 V、
750 V 和 1,200 V STPOWER 系列碳化硅 MOSFET 晶體管，可以讓設計人員開發(fā)續(xù)航里程更長的電動汽車動力總成系統(tǒng)。更高的能效可以大幅簡化冷卻系統(tǒng)設計，更小更輕的電子設備有助于最大限度降低車自重，在相同電量條件下，自重更輕的汽車行跑得更遠。意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)?Fil
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          • 關鍵字：
                        202207  寬帶隙  WBG  意法半導體                          
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          寬帶隙 (WBG) 半導體：切實可靠的節(jié)能降耗解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 受訪人：Filippo Di Giovanni（意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　意法半導體的第三代碳化硅是我們的STPOWER SiC MOSFET技術改良研發(fā)活動取得的新進展，是為了更好地滿足電動汽車廠商在用碳化硅設計的動力電機逆變器、車載充電機和DC-DC轉換器時的嚴格要求。在高端工業(yè)領域，我們的第三代碳
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  寬帶隙  WBG                          
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          英飛凌與臺達雙強連手：以寬帶隙技術搶攻高端服務器及電競電源市場
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 數(shù)字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產(chǎn)品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺達電子工業(yè)股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠，長期致力于創(chuàng)新的半導體和電力電子領域，今日宣布深化其合作，強化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產(chǎn)品上的應用，為終端客戶提供出色的解決方案。??600 V CoolGaN HSOF
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  寬帶隙  電源                          
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	共4條
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          寬帶隙介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條寬帶隙!
           
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