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密勒電容文章進(jìn)入密勒電容技術(shù)社區(qū)

IGBT模塊的密勒電容影響

需要首先了解IGBT或IGBT模塊的寄生電容參數(shù)：IGBT寄生電容是其芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)固有的特性，芯片結(jié)構(gòu)及簡(jiǎn)單的原...
關(guān)鍵字： IGBT模塊密勒電容

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密勒電容介紹

密勒電容就是跨接在放大器（放大工作的器件或者電路）的輸出端與輸入端之間的電容。密勒電容對(duì)于器件或者電路的頻率特性的影響即稱為密勒效應(yīng)。　　密勒效應(yīng)是通過(guò)放大輸入電容來(lái)起作用的，即密勒電容C可以使得器件或者電路的等效輸入電容增大(1+Av)倍，Av是電壓增益。因此很小的密勒電容即可造成器件或者電路的頻率特性大大降低。　　采用平衡法或中和法可以適當(dāng)?shù)販p弱密勒電容的影響。該方法即是在晶體管的輸出 [ 查看詳細(xì) ]

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