導(dǎo)通電阻 文章 進(jìn)入導(dǎo)通電阻技術(shù)社區(qū)
EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
- 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET
- 熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。簡介熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的
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英飛凌推出面向汽車的OptiMOS? 7 40V MOSFET
- 【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著的性能優(yōu)勢。這使得全新 MOSFET 成為所有的標(biāo)準(zhǔn)和未來車用 40V MOSFET 應(yīng)用的理想選擇，如電動(dòng)助力
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ITECH半導(dǎo)體測試方案解析，從容應(yīng)對全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌
- 全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌，行業(yè)整合步伐加速。作為電力控制/節(jié)能減排核心半導(dǎo)體器件，功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于從家電、消費(fèi)電子到新能源汽車、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。順全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)洗牌大勢，近年來功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整合步伐急速提升
- 關(guān)鍵字： ITECH程控電源及電子負(fù)載 IGBT模塊 (600-2400V/4A-1800A) 電能轉(zhuǎn)換器件 光伏/智能電網(wǎng)/充電樁 什么是IGBT 導(dǎo)通電阻
負(fù)載開關(guān)技術(shù)的發(fā)展在現(xiàn)代應(yīng)用的電源管理中發(fā)揮重要作用
- 作者/Bryson Barney 安森美半導(dǎo)體 應(yīng)用工程師 摘要：負(fù)載開關(guān)在電源管理和負(fù)載保護(hù)中發(fā)揮重要作用。在為特定應(yīng)用選擇負(fù)載開關(guān)時(shí)有一些因素要考慮，此外，現(xiàn)在還可以使用一些性能和功能得以改進(jìn)的新器件?！ ￡P(guān)鍵詞：負(fù)載開光；電源管理；導(dǎo)通電阻 0 引言 電源是推動(dòng)我們現(xiàn)代世界技術(shù)的命脈，我們越來越依賴高科技產(chǎn)品在忙碌的工作中和工作外的生活中幫助我們。管理和控制電源是高科技、低功耗應(yīng)用的一個(gè)重要主題。無論是為更大的設(shè)備開發(fā)復(fù)雜的多軌電源系統(tǒng)，還是利用電池供電設(shè)備的最后一小部分電量，電源管理都是
- 關(guān)鍵字： 201906 負(fù)載開光 電源管理 導(dǎo)通電阻
利用保證的 SOA 在高電流熱插拔應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻
- 引言
在高電流背板應(yīng)用中要求實(shí)現(xiàn)電路板的帶電插拔，這就需要兼具低導(dǎo)通電阻 (在穩(wěn)態(tài)操作期間) 和針對瞬態(tài)情況之高安全工作區(qū) (SOA) 的 MOSFET。通常，專為擁有低導(dǎo)通電阻而優(yōu)化的新式 MOSFET 并不適合高 SOA 熱插拔應(yīng)用。
LTC4234 是一款針對熱插拔 (Hot SwapTM) 應(yīng)用的集成型解決方案，其允許電路板在帶電背板上安全地插入和拔出。該器件把一個(gè)熱插拔控制器、功率 MOSFET 和電流檢測電阻器集成在單個(gè)封裝中，以滿足小型化應(yīng)用的要求 - 關(guān)鍵字： 熱拔插 導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻介紹
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導(dǎo)通電阻電路
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