封堵器：?jiǎn)纹瑱C(jī) 文章進(jìn)入封堵器：?jiǎn)纹瑱C(jī)技術(shù)社區(qū)

1～9月國內(nèi)智能手機(jī)銷量同比增幅60%

　　今年上半年國內(nèi)智能手機(jī)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。據(jù)賽諾市場(chǎng)研究公司的統(tǒng)計(jì)，今年1～9月國內(nèi)市場(chǎng)智能手機(jī)的銷售量是1600萬部，比去年同期增長(zhǎng)了60%。這一發(fā)展趨勢(shì)與全球智能手機(jī)的銷售情況相一致，根據(jù)分析公司Canalys的統(tǒng)計(jì)，2007年第二季度全球智能手機(jī)出貨量是2680萬部，比去年同期的1890萬部增長(zhǎng)41%?！　膰鴥?nèi)智能手機(jī)市場(chǎng)各操作系統(tǒng)的占比情況看，今年上半年，得益于諾基亞銷量的持續(xù)上升，尤其是其N系列手機(jī)的熱銷，Symbian操作系統(tǒng)在智能手機(jī)總出貨量中的市場(chǎng)份額持續(xù)上升，已經(jīng)占到整體智能手機(jī)市場(chǎng)
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基于P87LPC764型單片機(jī)的延時(shí)型漏電繼電器設(shè)計(jì)

　　摘要：介紹以P87LPC764型單片機(jī)為核心的延時(shí)型漏電繼電器設(shè)計(jì)方案。該方案可供用戶選擇實(shí)現(xiàn)額定動(dòng)作電流和5倍額定動(dòng)作電流下不同的延時(shí)動(dòng)作時(shí)間，并有重合閘設(shè)定選擇功能。解決了以往傳統(tǒng)分立元件帶來的延時(shí)時(shí)間離散性大且不實(shí)現(xiàn)的弊端。關(guān)鍵詞：延時(shí)時(shí)間漏電繼電器單片機(jī) 設(shè)計(jì) 1 引言　　漏電繼電器是一種可在被保護(hù)線路漏電電流達(dá)到設(shè)定值（額定動(dòng)作電流IΔ）后切斷被保護(hù)線路供電電源的保護(hù)裝置。漏電信號(hào)的檢測(cè)由零序電流互感器來完成，它可將檢測(cè)到的被保護(hù)線路的漏電
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51單片機(jī)使用點(diǎn)滴

一、硬件部分 1、一定要記得接晶振和復(fù)位電路。很多新手在Proteus上仿真成功后，焊板子的時(shí)候總是不記得把晶振和復(fù)位電路接上，這樣板子是不會(huì)工作的。 2、一般沒有特殊要求的話，選用11.0592MHZ的晶振。這樣有利于得到?jīng)]有誤差的波特率。特別是當(dāng)與PC機(jī)進(jìn)行通信的話，選用這種晶振比較好。 3、復(fù)位電路
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C51中的關(guān)鍵字

關(guān)鍵字；用　途；說　明 auto ；存儲(chǔ)種類說明；用以說明局部變量，缺省值為此 break ；程序語句；退出最內(nèi)層循環(huán) case ；程序語句；Switch語句中的選擇項(xiàng) char ；數(shù)據(jù)類型說明；單字節(jié)整型數(shù)或字符型數(shù)據(jù) const ；存儲(chǔ)類型說明；在程序執(zhí)行過程中不可更改的常量值 continue ；程序語句；轉(zhuǎn)向下一次循環(huán) default
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51單片機(jī)I/O口使用經(jīng)驗(yàn)

按常規(guī)，在51端口（P1、P2、P3）某位用作輸入時(shí)，必須先向?qū)?yīng)的鎖存器寫入1，使FET截止。一般情況是這樣，也有例外。所謂IO口內(nèi)部與電源相連的上拉電阻而非一常規(guī)線性電阻，實(shí)質(zhì)上，該電阻是由兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管并聯(lián)在一起：一個(gè)FET為負(fù)載管，其阻值固定；另一個(gè)FET可工作在導(dǎo)通或截止兩種狀態(tài)（姑且叫可變FET）。使其總電阻值變化近似為0或阻值較大（20千歐--40千歐）兩種情況。當(dāng)和端口鎖存器相連的FET由導(dǎo)通至截止時(shí)，該阻值近似為0，可將引腳快速上拉至高電平；當(dāng)和鎖存器
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80C51 系列單片機(jī)仿真器選購指南

第一章為什么要使用仿真器？ 1.1 仿真的概念仿真的概念其實(shí)使用非常廣，最終的含義就是使用可控的手段來模仿真實(shí)的情況。在嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，仿真應(yīng)用的范圍主要集中在對(duì)程序的仿真上。例如，在單片機(jī)的開發(fā)過程中，程序的設(shè)計(jì)是最為重要的但也是難度最大的。一種最簡(jiǎn)單和原始的開發(fā)流程是：編寫程序－燒寫芯片－驗(yàn)證功能，這種方法對(duì)于簡(jiǎn)單的小系統(tǒng)
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三季度亞太筆記本需求強(qiáng)勁聯(lián)想仍為領(lǐng)航者

　　在2007年中國國際通信設(shè)備技術(shù)展覽會(huì)上，業(yè)內(nèi)外參觀者津津樂道的熱點(diǎn)話題除了3G新技術(shù)及其應(yīng)用之外就是基于寬帶網(wǎng)絡(luò)的技術(shù)和應(yīng)用。寬帶，已經(jīng)在本屆通信展中占了半壁江山。　　在展會(huì)上各大固定電信運(yùn)營(yíng)商展示的業(yè)務(wù)中，絕大多數(shù)都是基于寬帶網(wǎng)絡(luò)的增值應(yīng)用；在中興、華為、烽火、愛立信、英特爾等國內(nèi)外知名通信設(shè)備商的展臺(tái)上，也都重點(diǎn)展示了IPTV、FTTH、電信級(jí)以太網(wǎng)、家庭網(wǎng)絡(luò)等寬帶新業(yè)務(wù)、新技術(shù)成果?！　」叹W(wǎng)運(yùn)營(yíng)商主要以公眾家庭、商務(wù)企業(yè)兩個(gè)主題，集中展示寬帶應(yīng)用創(chuàng)新成果。中國電信以綜合信息服務(wù)提供商為主題高調(diào)
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C語言平臺(tái)　縮短SoC前期設(shè)計(jì)時(shí)間

　　在設(shè)計(jì)上能減少結(jié)構(gòu)探索時(shí)間的C語言平臺(tái)，在結(jié)構(gòu)上如何以新思考突破? 　　以往半導(dǎo)體業(yè)者大多使用FPGA(Field Programmable Gate Array)製作樣品(Prototype)，接著鎖定幾項(xiàng)晶片重要規(guī)格，依此找出最適合該晶片的結(jié)構(gòu)，這種方式最大缺點(diǎn)是作業(yè)時(shí)間非常冗長(zhǎng)。然而，C語言平臺(tái)的設(shè)計(jì)方式則是，利用軟體模擬分析檢討晶片結(jié)構(gòu)，以往FPGA平臺(tái)的樣品，大約需要半年左右的結(jié)構(gòu)探索時(shí)間，如果採用C語言平臺(tái)的設(shè)計(jì)方式，只需要花費(fèi)約2周~1個(gè)月的時(shí)間。　　目前開發(fā)最快的是日本沖電氣，以
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基于Astro工具的ASIC時(shí)序分析

　　引言　　隨著系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的提高，時(shí)鐘偏斜和干擾開始成為IC工程師重點(diǎn)考慮的問題。增大時(shí)序電路的時(shí)鐘頻率，減小時(shí)序電路的容差能提升未來的系統(tǒng)性能。低偏斜時(shí)鐘緩沖器和鎖相環(huán)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器將幫助設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出速度、偏斜和抗噪性能等指標(biāo)滿足要求的電路系統(tǒng)，但必須將時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)為一個(gè)時(shí)鐘系統(tǒng)，考慮時(shí)鐘分步網(wǎng)絡(luò)的各個(gè)方面，包括驅(qū)動(dòng)器、傳輸線路和信號(hào)布線等。　　時(shí)鐘偏斜　　時(shí)鐘偏斜定義為在時(shí)鐘分布系統(tǒng)中到達(dá)各個(gè)時(shí)鐘末端(即器件內(nèi)部觸發(fā)器的時(shí)鐘輸入端)的時(shí)鐘相位不一致的現(xiàn)象。如果時(shí)鐘偏斜超過所允許的最大值，電
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數(shù)字電位器的應(yīng)用

　　數(shù)字電位器介紹　　簡(jiǎn)單的說，數(shù)字電位器由數(shù)字輸入控制，產(chǎn)生一個(gè)模擬量的輸出。這個(gè)定義類似于數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)，所不同的是：DAC具有一個(gè)緩沖輸出，大多數(shù)數(shù)字電位器沒有輸出緩沖器，因而不能驅(qū)動(dòng)低阻負(fù)載。依據(jù)數(shù)字電位器的不同，抽頭電流最大值可以從幾百微安到幾個(gè)毫安。因此，不論是普通電位器還是數(shù)字電位器，如果與低阻負(fù)載連接，都應(yīng)保證在最惡劣的條件下，抽頭電流不超出所允許的IWIPER 范圍。所謂“最惡劣的條件”發(fā)生在抽頭電壓VW接近于端電壓VH，而且線路中沒有足夠限流電阻的情況下。有些應(yīng)用中，抽頭流過
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基于DSP的高速實(shí)時(shí)語音識(shí)別系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　　實(shí)時(shí)語音識(shí)別系統(tǒng)中，由于語音的數(shù)據(jù)量大，運(yùn)算復(fù)雜，對(duì)處理器性能提出了很高的要求，適于采用高速DSP實(shí)現(xiàn)。雖然DSP提供了高速和靈活的硬件設(shè)計(jì)，但是在實(shí)時(shí)處理系統(tǒng)中，還需結(jié)合DSP器件的結(jié)構(gòu)及工作方式，針對(duì)語音處理的特點(diǎn)，對(duì)軟件進(jìn)行反復(fù)優(yōu)化，以縮短識(shí)別時(shí)間，滿足實(shí)時(shí)的需求。因此如何對(duì)DSP進(jìn)行優(yōu)化編程，解決算法的復(fù)雜性和硬件存儲(chǔ)容量及速度之間的矛盾，成為實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵。本文基于TMS320C6713設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了高速實(shí)時(shí)語音識(shí)別系統(tǒng)，在固定文本的說話人辨識(shí)的應(yīng)用中效果顯著。　　1 語音識(shí)別的原理
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fimicro將Ramtron的4Mb F-RAM存儲(chǔ)器用于智能I/O模塊設(shè)計(jì)中

　　F-RAM和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation 宣布位于德國的嵌入式軟件和硬件供應(yīng)商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容單板計(jì)算機(jī) (SBC) 和智能 I/O 擴(kuò)展模塊中，采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存儲(chǔ)器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太網(wǎng)和 USB 板的設(shè)計(jì)中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM，以取代
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茍仲文強(qiáng)調(diào)政府大力支持IC業(yè)發(fā)展

　　由北京市工業(yè)促進(jìn)局和國際半導(dǎo)體設(shè)備及材料協(xié)會(huì)(SEMI)聯(lián)合主辦的2007北京微電子國際研討會(huì)日前在京召開。信息產(chǎn)業(yè)部副部長(zhǎng)茍仲文、科技部副部長(zhǎng)曹健林、北京市副市長(zhǎng)陸昊等出席了開幕式并講話。　　茍仲文在講話中說，作為高技術(shù)領(lǐng)域的集成電路產(chǎn)業(yè)是創(chuàng)新極其活躍的產(chǎn)業(yè)，創(chuàng)新是企業(yè)發(fā)展、成長(zhǎng)的第一推動(dòng)力。在各級(jí)政府共同支持下，自主創(chuàng)新取得了顯著的成績(jī)。　　茍仲文說，為了更好地推進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，政府正在做的工作主要有三項(xiàng)：一是組織制定產(chǎn)業(yè)政策，并將產(chǎn)業(yè)政策法制化，為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)I造更為良好的政策環(huán)境;二是
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無線芯片供應(yīng)商競(jìng)爭(zhēng)力分析

　　飛思卡爾：占據(jù)ZigBee強(qiáng)者地位　　飛思卡爾在淡出超寬帶(UWB)市場(chǎng)之后，積極沖刺ZigBee業(yè)務(wù)，并積極打造其為家庭娛樂設(shè)備的無線控制平臺(tái)，顯示其無線個(gè)人網(wǎng)絡(luò)的重心大幅轉(zhuǎn)變。飛思卡爾以ZigBee技術(shù)開發(fā)出無線射頻娛樂控制平臺(tái)，這是繼1970年代紅外線產(chǎn)品問世以來，消費(fèi)電子產(chǎn)品遙控技術(shù)的最大突破，這項(xiàng)技術(shù)不僅創(chuàng)造了創(chuàng)新且彈性的平臺(tái)，也提供消費(fèi)者新的使用經(jīng)驗(yàn)。目前飛思卡爾正與SONY等多家消費(fèi)性電子大廠合作，希望推動(dòng)其無線射頻娛樂控制平臺(tái)成為全球產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)期2008年相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)就會(huì)出爐，采用其
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DRAM十月價(jià)格持續(xù)下跌；ETT現(xiàn)貨價(jià)急漲12%

　　上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場(chǎng)eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見的急漲局面，DDR2512MbeTT價(jià)格收在1.17美元，漲幅約11.9%;相較之下，品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢(shì)，上漲至1.37美元，幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2eTT的強(qiáng)勁漲勢(shì)，是因?yàn)閑TT主要的供貨商進(jìn)行70nm轉(zhuǎn)進(jìn)，供給量減少，部份買主逢低買進(jìn)拉抬買氣，進(jìn)而帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，因此這波價(jià)格上揚(yáng)主要是短期市場(chǎng)操作結(jié)果，而非市場(chǎng)終端需求帶動(dòng);此外，這波投機(jī)性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒，并沒有
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