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射頻功率器件文章進入射頻功率器件技術(shù)社區(qū)

恩智浦推出新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)

● 全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無線單元，部署5G基站更快、更輕松● 簡化設計和制造，同時保證性能荷蘭埃因霍溫——2023年6月9日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列，其中采用的創(chuàng)新封裝技術(shù)有助于為5G基礎設施打造更輕薄的無線產(chǎn)品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經(jīng)濟性，同時能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片
關(guān)鍵字：恩智浦射頻功率器件頂部冷卻封裝 5G無線產(chǎn)品

飛思卡爾射頻功率晶體管將耐用性、頻率范圍與寬帶能力完美結(jié)合

為了滿足市場對射頻功率器件增強耐用性和在廣泛的頻率范圍進行寬帶運行的需求，飛思卡爾半導體公司(NYSE：FSL)推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級別的線性和耐用性。
關(guān)鍵字：飛思卡爾射頻功率器件

共2條 1/1 1

射頻功率器件介紹

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