將芯 文章 進入將芯技術(shù)社區(qū)
45納米：演繹芯片產(chǎn)業(yè)辯證法
- 當(dāng)業(yè)內(nèi)人士和用戶在為英特爾和AMD將芯片產(chǎn)業(yè)帶入多核時代而歡呼雀躍的時候，孰不知芯片產(chǎn)業(yè)和芯片產(chǎn)業(yè)的“圣經(jīng)”摩爾定律正在遭受芯片發(fā)展史上最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)和考驗。 眾所周知，自1970年發(fā)明MOS工藝及1973年推出CMOS工藝以來，至今還沒有發(fā)現(xiàn)可替代它的工藝，足見CMOS工藝的經(jīng)濟合理性。因此，至今硅基材料的應(yīng)用仍在繼續(xù)延伸。然而，在晶體管工藝制造中采用二氧化硅作為柵極材料，實質(zhì)上已逼近極限。如65納米工藝時，二氧化硅柵極的厚度已降低至1.2納米，約5個硅原子層厚度，如果再繼續(xù)縮小，將導(dǎo)致漏電及功
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 英特爾 AMD 將芯 MCU和嵌入式微處理器
| 共1條 1/1 1 |
將芯介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條將芯!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對將芯的理解，并與今后在此搜索將芯的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對將芯的理解，并與今后在此搜索將芯的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473