工業(yè)級(jí)碳化硅mosfet 文章 進(jìn)入工業(yè)級(jí)碳化硅mosfet技術(shù)社區(qū)

基本半導(dǎo)體發(fā)布國(guó)內(nèi)首款工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET

• 　　新年伊始，基本半導(dǎo)體正式發(fā)布國(guó)內(nèi)首款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET，該產(chǎn)品各項(xiàng)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，其中短路耐受時(shí)間更是長(zhǎng)達(dá)6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布，標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續(xù)領(lǐng)跑全國(guó)。　　近年來(lái)，基于硅(Si)、砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體材料的功率器件受材料性能所限，正接近物理極限，產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入瓶頸期。而以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等特點(diǎn)，更適合制作高溫、高頻、抗輻射
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