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          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
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	帶隙基準源
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
                                
          
                    
          高電源抑制的帶隙基準源設計方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　本文通過結(jié)合LDO與Brokaw基準核心，設計出了高PSR的帶隙基準，此帶隙基準輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB，最高PSR為-36 dB，溫漂可以達到7.5 ppm，適用于電子鎮(zhèn)流器芯片。本設計還優(yōu)化了啟動部分，使新的帶隙基準可以在短時間內(nèi)順利啟動。
　　1 電路結(jié)構(gòu)
　　1.1 基準核心
　　目前的基準核心可以有多種實現(xiàn)方案：混合電阻，Buck voltage transfer cell，但是修調(diào)復雜，不宜工業(yè)化。本設計采用Brokaw基準核心，其較易實現(xiàn)高壓基準輸出，并
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          • 關(guān)鍵字：
                        帶隙基準源  LDO                          
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          低成本多路輸出CMOS帶隙基準電壓源設計
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：在傳統(tǒng)Brokaw帶隙基準源的基礎上，提出一種采用自偏置結(jié)構(gòu)和共源共柵電流鏡的低成本多路基準電壓輸出的CMOS帶隙基準源結(jié)構(gòu)，省去了一個放大器，并減小了所需的電阻阻值，大大降低了成本，減小了功耗和噪聲。該
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          • 關(guān)鍵字：
                        帶隙基準源  多路基準電壓輸出  溫度系數(shù)  Cadence                          
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          一種發(fā)動機高溫差環(huán)境下的基準電壓源電路
          
                                                            
            
                    	
          • 發(fā)動機控制芯片在汽車中得到了廣泛的應用，是汽車電子的核心部分之一。發(fā)動機控制芯片結(jié)合了大量的傳感器接...
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          • 關(guān)鍵字：
                        帶隙基準源  電源共模抑制比  電壓紋波                          
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          一種新型高精度CMOS帶隙基準源的設計
          
                                                            
            
                    	
          • 提出一種標準CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準電流進行動態(tài)電流反饋補償，設計了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準電路。使輸出基準電壓溫度系數(shù)在-25～+120℃范圍的溫度系數(shù)為7．427pp-m／℃，在27℃時電源電壓抑制比達82 dB。該基準源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。
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          • 關(guān)鍵字：
                        CMOS  高精度  帶隙基準源                            
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          一種低溫漂低功耗的帶隙基準源的設計
          
                                                            
            
                    	
          • 設計一種低溫漂低功耗的帶隙基準結(jié)構(gòu)，在傳統(tǒng)帶隙基準核心電路結(jié)構(gòu)上增加一對PNP管，兩個雙極型晶體管疊加的結(jié)構(gòu)減小了運放的失調(diào)電壓對輸出電壓的影響，降低了基準電壓的溫度失調(diào)系數(shù)。電路設計與仿真基于CSMC0．5μm CMOS工藝，經(jīng)流片，測得室溫下帶隙基準輸出電壓為1．326 65 V，在-40～+85℃范圍內(nèi)的溫度系數(shù)為2．563 ppm／℃；在3．3 V電源電壓下，整個電路的功耗僅為2．81μw；在2～4 V之間的電源調(diào)整率為206．95 ppm。
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          • 關(guān)鍵字：
                        低功耗  帶隙基準源                            
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          偉健電子代理產(chǎn)品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　偉健電子代理了Thaler公司推出的一系列產(chǎn)品，包括帶隙基準源VRE4100系列，壓力傳感器TPS31系列和正弦波基準源SWR200等。
　　1.帶隙基準源VRE4100系列
        
　　帶隙基準源VRE4100系列產(chǎn)品具有高精度、微功率、低成本的特性。其初始誤差為±0.05%，溫度系數(shù)僅為1.0ppm/℃，并具有很低的溫度遲滯：20ppm。輸出電壓靈活，包括4.096V、2.5V、2.048V、1.2
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          • 關(guān)鍵字：
                        偉健電子  Thaler  帶隙基準源  壓力傳感器  正弦波基準源                          
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	共8條
	1/1															1								
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          帶隙基準源介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條帶隙基準源!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對帶隙基準源的理解，并與今后在此搜索帶隙基準源的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		
  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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