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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 常閉耗盡型

          Transphorm最新技術(shù)白皮書:常閉耗盡型(D-Mode)與增強型(E-Mode)氮化鎵晶體管的優(yōu)勢對比

          • 氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先企業(yè)Transphorm, Inc.近日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』的最新白皮書。該技術(shù)文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優(yōu)勢。重要的是,該文章還解釋了e-mode平臺為實現(xiàn)常閉型解決方案,從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優(yōu)勢。要點白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個關(guān)鍵優(yōu)勢,包括:1.性能更高:優(yōu)越的 TCR (~25%),更低的動態(tài)與靜態(tài)導(dǎo)通電阻比
          • 關(guān)鍵字: Transphorm  常閉耗盡型  D-Mode  增強型  E-Mode  氮化鎵  
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          常閉耗盡型介紹

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