開(kāi)關(guān)損耗文章進(jìn)入開(kāi)關(guān)損耗技術(shù)社區(qū)

雙極性結(jié)型晶體管的開(kāi)關(guān)損耗

在SPICE仿真的幫助下，我們研究了當(dāng)BJT用作開(kāi)關(guān)時(shí)發(fā)生的兩種類(lèi)型的功耗。雙極性結(jié)型晶體管（BJT）既可以用作小信號(hào)放大器，也可以用作開(kāi)關(guān)。盡管現(xiàn)在你在電路板上看不到很多分立的BJT放大器——使用運(yùn)算放大器要方便有效得多——但作為開(kāi)關(guān)連接的BJT仍然很常見(jiàn)。BJT開(kāi)關(guān)通常用于阻斷或向有刷直流電機(jī)、燈或螺線管等負(fù)載輸送電流。它們有時(shí)也出現(xiàn)在更高頻率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，如開(kāi)關(guān)模式調(diào)節(jié)器或D類(lèi)放大器。圖1顯示了BJT開(kāi)關(guān)的兩種常見(jiàn)應(yīng)用：高強(qiáng)度LED照明（左）和繼電器控制（右）。兩個(gè)開(kāi)關(guān)都由微控制器上的通用輸入/輸出
關(guān)鍵字： LTspice 雙極性結(jié)型晶體管開(kāi)關(guān)損耗

MOSFET開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)介

本文將通過(guò)解釋MOSFET功耗的重要來(lái)源來(lái)幫助您優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動(dòng)器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開(kāi)關(guān)。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過(guò)溝道，但溝道電阻相對(duì)較高。跨溝道的電壓和流過(guò)溝道的電流都是顯著的，導(dǎo)致晶體管中的高功耗。在開(kāi)關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動(dòng)，或者足夠高以使FET處于“完全增強(qiáng)”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)：即使大電流流過(guò)通道，功耗也會(huì)很低或中等。隨著開(kāi)關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
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簡(jiǎn)單的速率控制技術(shù)可降低開(kāi)通能耗

　　Wolfgang?Frank?（英飛凌）　　摘?要：電力電子系統(tǒng)（如馬達(dá)）中的開(kāi)關(guān)損耗降低受到電磁干擾（EMI）或開(kāi)關(guān)電壓斜率等參數(shù)的限制。通常是通過(guò)選擇有效的功率晶體管柵極電阻來(lái)解決這一問(wèn)題。但這在運(yùn)行中是無(wú)法自主進(jìn)行調(diào)整的?！　”疚膶⒔榻B一種通過(guò)并聯(lián)常規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)芯片來(lái)攻克這一難題的簡(jiǎn)單方法。文中還介紹了與開(kāi)通能耗改進(jìn)有關(guān)的表征數(shù)據(jù)的評(píng)估?！　￡P(guān)鍵詞：馬達(dá)；開(kāi)關(guān)損耗；EMI；開(kāi)關(guān)電壓斜率；柵極驅(qū)動(dòng)　　0 引言　　連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型，一般有2個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。首先，應(yīng)通過(guò)選擇電阻值較小的
關(guān)鍵字： 202006 馬達(dá) 開(kāi)關(guān)損耗 EMI 開(kāi)關(guān)電壓斜率柵極驅(qū)動(dòng)

理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)

Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)劉松（萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體元件(深圳)有限公司，上海靜安 200070）??????摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測(cè)量的方法，特別說(shuō)明了在實(shí)際的不同應(yīng)用中，采用不同的輸出電
關(guān)鍵字：輸出電容死區(qū)時(shí)間開(kāi)關(guān)損耗超結(jié) 201904

MOSFET開(kāi)關(guān)損耗分析

摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對(duì)MOSFET柵極電荷、極間
關(guān)鍵字： MOSFET 帶電插拔緩啟動(dòng) 開(kāi)關(guān)損耗

技術(shù)解析：有效地降低開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗的原理

基于電感的開(kāi)關(guān)電源(SM-PS)包含一個(gè)功率開(kāi)關(guān)，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)選擇MOSFE...
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗

淺析讓IGBT更快的技巧

IGBT關(guān)斷損耗大；拖尾是嚴(yán)重制約高頻運(yùn)用的攔路虎。這問(wèn)題由兩方面構(gòu)成：1）IGBT的主導(dǎo)器件—GTR的基區(qū)儲(chǔ)...
關(guān)鍵字： IGBT 開(kāi)關(guān)損耗

論述如何控制IGBT逆變器設(shè)計(jì)中的雜散電感

IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿(mǎn)足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)...
關(guān)鍵字：反向恢復(fù) 過(guò)壓開(kāi)關(guān)損耗

零電壓開(kāi)關(guān)技術(shù)在降壓穩(wěn)壓器上的應(yīng)用

對(duì)降壓穩(wěn)壓器的關(guān)鍵要求通常是尺寸和效率。由于印制電路板面積彌足珍貴，哪個(gè)設(shè)計(jì)人員也不愿意分配額外的空...
關(guān)鍵字：零電壓開(kāi)關(guān)損耗功率密度

開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的效率（忽略交疊開(kāi)關(guān)損耗）

了解了開(kāi)關(guān)管V和續(xù)流二極管D的電流D（見(jiàn)圖d、e）就可以計(jì)算電路的損耗和效率。若電流流過(guò)開(kāi)關(guān)管V和二極管D...
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器開(kāi)關(guān)損耗

開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的效率（考慮交疊開(kāi)關(guān)損耗）

交疊開(kāi)關(guān)損耗（或稱(chēng)為電壓電流重疊損耗），可以根據(jù)某時(shí)段內(nèi)電壓電流的動(dòng)態(tài)曲線按照上升電流和下降電壓的斜率...
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器開(kāi)關(guān)損耗

理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字： MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗主導(dǎo)參數(shù)

功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗的研究

本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字：功率MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗

國(guó)內(nèi)高頻變換中小功率逆變電源存在問(wèn)題分析

20世紀(jì)70年代初期，20kHzPWM型開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用在世界上引起了所謂“20kHz電源技術(shù)革命”。逆變電源按變換方式...
關(guān)鍵字：磁性材料開(kāi)關(guān)損耗諧振

FPGA平臺(tái)實(shí)現(xiàn)最小開(kāi)關(guān)損耗的SVPWM算法

摘要：詳細(xì)分析了SVPWM的原理，介紹一種根據(jù)負(fù)載的功率因子來(lái)決定電壓空間零矢量的分配與作用時(shí)間的SVPWM算法，使得橋臂開(kāi)關(guān)在通過(guò)其電流最大時(shí)的一段連續(xù)時(shí)間內(nèi)沒(méi)有開(kāi)關(guān)動(dòng)作。這樣在提高開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)減小了開(kāi)關(guān)電
關(guān)鍵字： SVPWM FPGA 開(kāi)關(guān)損耗算法

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開(kāi)關(guān)損耗介紹

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MOS管的開(kāi)關(guān)損耗-反激式分析
在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較
應(yīng)用軌跡法分析功率管的開(kāi)關(guān)損耗

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