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開(kāi)爾文
開(kāi)爾文 文章 進(jìn)入開(kāi)爾文技術(shù)社區(qū)
使用開(kāi)爾文連接提高 SiC FET 的開(kāi)關(guān)效率
- 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會(huì)導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹(jǐn)慎使用開(kāi)爾文連接技術(shù)以解決電感問(wèn)題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動(dòng)汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、
- 關(guān)鍵字： Qorvo 開(kāi)爾文 FET
基于開(kāi)爾文四線法進(jìn)行接觸電阻的測(cè)量實(shí)例
- ASTM的方法B539“測(cè)量電氣連接的接觸電阻”和MIL-STD-1344的方法3002“低信號(hào)電平接觸電阻”是通常用于測(cè)...
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)爾文 四線法 接觸電阻 測(cè)量實(shí)例
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開(kāi)爾文介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)開(kāi)爾文的理解，并與今后在此搜索開(kāi)爾文的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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