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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 循環(huán)

          使用準(zhǔn)循環(huán)LDPC碼的OFDM系統(tǒng)性能分析

          • 摘要:參照IEEE 802.16e標(biāo)準(zhǔn)中的準(zhǔn)循環(huán)LDPC碼校驗(yàn)矩陣結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)了一種新的校驗(yàn)矩陣,并將其應(yīng)用于OFDM系統(tǒng)中。同時(shí),將該設(shè)計(jì)方案與RS和卷積編碼級(jí)聯(lián)方案進(jìn)行比較,仿真顯示,該方案與級(jí)聯(lián)編碼方案有幾乎相同的編碼
          • 關(guān)鍵字: 性能  分析  系統(tǒng)  OFDM  循環(huán)  LDPC  使用  

          循環(huán)工作定時(shí)控制器電路設(shè)計(jì)

          • 一、電路工作原理電路通過電容C2 和泄放電阻R3 降壓后,經(jīng)過橋堆IC2 整流,VD2 穩(wěn)壓后,得到12V左右的直流電壓,為IC1 及其它電路供電。IC1 為14 位二進(jìn)制計(jì)數(shù)/分頻器集成電路,通過
            由R1、R2、C1 和IC1 的內(nèi)部電路
          • 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計(jì)  控制器  定時(shí)  工作  循環(huán)  

          高壓變頻技術(shù)在熱源廠循環(huán)流化床

          • 介紹了哈爾濱市華能集中供熱有限公司在應(yīng)用變頻調(diào)速設(shè)備上的探索和經(jīng)驗(yàn),同時(shí)給出了東方日立公司高壓變頻裝置的技術(shù)特點(diǎn)。通過不同工況的對(duì)比,表明使用高壓變頻系統(tǒng)后節(jié)能效果顯著,提高了系統(tǒng)的安全可靠性。
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          • 關(guān)鍵字: 流化床  循環(huán)  技術(shù)  變頻  高壓  

          循環(huán)冗余校驗(yàn)確保正確的數(shù)據(jù)通信

          • 在工業(yè)環(huán)境中,電子系統(tǒng)通常工作在極端的溫度條件下,或處于電子噪聲環(huán)境,或是其它惡劣條件,而系統(tǒng)在這種條件下能否正常工作至關(guān)重要。舉例來說,如果發(fā)送給控制機(jī)器臂位置的DAC 的數(shù)據(jù)遭到破壞,機(jī)器臂就會(huì)按
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)通信  正確  確保  校驗(yàn)  循環(huán)  

          氣液密閉循環(huán)中藥熏洗儀設(shè)計(jì)

          • 摘要:為了使保證中藥熏洗過程的密閉循環(huán)以及長時(shí)間溫度恒定,進(jìn)而提高熏洗療效,設(shè)計(jì)研制了一種自動(dòng)熏洗儀。對(duì)該自動(dòng)熏洗儀進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、控制系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì),使其具備熏蒸、熏洗和洗浴功能。控制系統(tǒng)采用
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  中藥  循環(huán)  密閉  

          基于位線循環(huán)充電SRAM模式的自定時(shí)電路設(shè)計(jì)

          • 隨著集成電路的密度和工作頻率按照摩爾定律所描述的那樣持續(xù)增長,使得高性能和低功耗設(shè)計(jì)已成為芯片設(shè)計(jì)的主流。在微處理器和SoC中,存儲(chǔ)器占據(jù)了大部分的芯片面積,而且還有持續(xù)增加的趨勢。這使存儲(chǔ)器中的字線長度和位線長度不斷增加,增加了延時(shí)和功耗。因此,研究高速低功耗存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)技術(shù)對(duì)集成電路的發(fā)展具有重要意義。對(duì)SRAM存儲(chǔ)器的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行研究,在多級(jí)位線位SRAM結(jié)構(gòu)及工作原理基礎(chǔ)上,以改善SRAM速度和功耗特性為目的,設(shè)計(jì)了基于位線循環(huán)充電結(jié)構(gòu)的雙模式自定時(shí)SRAM,其容量為8K×32 b。
          • 關(guān)鍵字: 定時(shí)  電路設(shè)計(jì)  模式  SRAM  循環(huán)  充電  基于  

          鋰離子電池硅基負(fù)極循環(huán)性能的

          • 1.引言硅具有最高的理論比容量(4200 mAh g-1)和較低的脫鋰電位(0.5 V),成為最有潛力取代石墨的鋰離子電池負(fù)極材料之一。[1]但是在充放電過程中,硅會(huì)發(fā)生巨大的體積變化,導(dǎo)致材料粉化、剝落、失去電接觸,容量
          • 關(guān)鍵字: 性能  循環(huán)  電池  鋰離子  

          CAN總線中循環(huán)冗余校驗(yàn)碼的原理及其電路實(shí)現(xiàn)

          • 在CAN網(wǎng)絡(luò)中傳輸攝文時(shí),噪聲干擾或傳輸中斷等因素往往使接收端收到的報(bào)文出現(xiàn)錯(cuò)碼。為了及時(shí)可靠地把報(bào)文傳輸給對(duì)方并有效地檢測錯(cuò)誤,需要采用差錯(cuò)控制。詳細(xì)介紹了CAN總線中循環(huán)冗余校驗(yàn)碼的差錯(cuò)控制原理及其實(shí)現(xiàn)方法。
          • 關(guān)鍵字: 及其  電路  實(shí)現(xiàn)  原理  校驗(yàn)  總線  循環(huán)  CAN  CAN  

          新型基于能量循環(huán)的電源老化節(jié)能實(shí)現(xiàn)

          • 分析電源設(shè)備老化過程中節(jié)能的必要性和重要意義,針對(duì)原有的高能耗老化現(xiàn)狀,提出采用基于能量循環(huán)的老化節(jié)能實(shí)現(xiàn)方法。分析了能量循環(huán)的工作模式, 給出該工作模式的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)方法。實(shí)際測試表明,通過能量反饋可以實(shí)現(xiàn)大部分消耗電能的循環(huán)利用,具有顯著得節(jié)能效果。
            關(guān)鍵詞 電源老化,能量循環(huán),節(jié)能
          • 關(guān)鍵字: 老化  節(jié)能  實(shí)現(xiàn)  電源  循環(huán)  基于  能量  新型  

          Sn-Ag-Cu無鉛焊料的可靠性研究

          基于CPLD的時(shí)間控制器設(shè)計(jì)

          • 本文介紹一種以CPLD[1]為核心、以VHDL[2]為開發(fā)工具的時(shí)間控制器,該控制器不僅具有時(shí)間功能,而且具有定時(shí)器功...
          • 關(guān)鍵字: 比較  模塊  動(dòng)態(tài)  循環(huán)  

          實(shí)現(xiàn)低功耗DAB接收機(jī)的循環(huán)上/斷電方案

          • 數(shù)字音頻廣播(DAB)是一種數(shù)字無線電系統(tǒng),最初由Eureka 147開發(fā),能夠?yàn)橛脩籼峁┍葌鹘y(tǒng)FM廣播所能實(shí)現(xiàn)的豐富的多的體驗(yàn)。
          • 關(guān)鍵字: 斷電  方案  循環(huán)  接收機(jī)  功耗  DAB  實(shí)現(xiàn)  
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          循環(huán)介紹

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