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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 微影技術(shù)

          半導(dǎo)體廠倚重EUV 先進(jìn)微影技術(shù)的強(qiáng)勁需求

          • 微影設(shè)備業(yè)者ASML第一季已完成136臺(tái)極紫外光(EUV)曝光機(jī)出貨,累計(jì)超過7,000萬片晶圓完成EUV曝光。隨著EUV微影技術(shù)推進(jìn),預(yù)期2025年之后新一代EUV曝光機(jī)每小時(shí)曝光產(chǎn)量可達(dá)220片以上,以因應(yīng)客戶端先進(jìn)制程推進(jìn)至埃米(Angstrom)世代對先進(jìn)微影技術(shù)的強(qiáng)勁需求。雖然2023年半導(dǎo)體市況能見度低且不確定性高,但包括臺(tái)積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導(dǎo)體廠仍積極投資EUV產(chǎn)能,加上制程推進(jìn)會(huì)帶動(dòng)光罩層數(shù)增加,法人樂觀看好家登、帆宣、公準(zhǔn)、意德士(等EUV概念股明年?duì)I運(yùn)將
          • 關(guān)鍵字: 微影技術(shù)  ASML  EUV  

          三星跟隨英特爾和臺(tái)積電 5億歐元注資ASML公司

          •    據(jù)外國媒體報(bào)道,荷蘭微影設(shè)備廠ASML宣布,三星公司已同意向ASML投資5.03億歐元(約合6.29億美元),獲得該公司3%股權(quán)。此外,三星承諾在未來5年將向ASML公司投資2.76億歐元(約合3.45億美元),支持ASML研發(fā)下一代微影技術(shù)。   此前,臺(tái)積電和英特爾公司已宣布分別以8.38億歐元和33億歐元收購ASML公司5%和15%股權(quán)。同時(shí),臺(tái)積電公司承諾在未來5年向ASML投入2.76億歐元,用于ASML的研發(fā)計(jì)劃。   ASML公司之前曾邀英特爾、臺(tái)積電和三星等公司加入由其
          • 關(guān)鍵字: 三星  微影技術(shù)  

          次世代微影技術(shù)主流之爭 

          •   目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn),而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出,EUV技術(shù)最快于2014年可望進(jìn)入量產(chǎn),而應(yīng)用存儲(chǔ)器制程又將早于邏輯制程,他也指出,無光罩多重電子束恐怕來不及進(jìn)入量產(chǎn)。   
          • 關(guān)鍵字: 微影技術(shù)  EUV  

          臺(tái)積電發(fā)布6月報(bào)告 營收環(huán)比增長5.3%

          •   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(臺(tái)積電)10日公布2009年6月營收報(bào)告,就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面,營收約為新臺(tái)幣257億7800萬元,較2009年5月增加了5.3%,較去年同期減少了9.6%。累計(jì)2009年1至6月營收約為新臺(tái)幣1095億5600萬元,較去年同期減少了35.9%。   就合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面,2009年6月營收約為新臺(tái)幣265億1500萬元,較2009年5月增加了5.0%,較去年同期減少了10.0%;累計(jì)2009年1至6月營收約為新臺(tái)幣1137億1200萬元,較去年同期減少了35.3%。
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  22納米  微影技術(shù)  

          臺(tái)積電與CEA-Leti合作推動(dòng)無光罩微影技術(shù)

          •   為積極朝向22納米制程技術(shù)前進(jìn),臺(tái)積電宣布與法國半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti簽訂合作協(xié)議,將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計(jì)畫,就半導(dǎo)體制造中的無光罩微影技術(shù)進(jìn)行合作,這項(xiàng)計(jì)畫為期3年。日前曾傳出,由于經(jīng)濟(jì)前景不明,部分設(shè)備商延后22納米制程技術(shù)研發(fā),臺(tái)積電此舉則希望更積極主動(dòng)推動(dòng)22納米無光罩微影技術(shù)。   這次臺(tái)積電參與的CEA-Leti IMAGINE研究計(jì)畫為期3年,所有參與這項(xiàng)計(jì)畫的公司都可取得無光罩微影架構(gòu)供IC制造使用,也可以藉由設(shè)備商Mapper所提供的技術(shù)提高
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  22納米  微影技術(shù)  
          共5條 1/1 1

          微影技術(shù)介紹

            微影技術(shù)(Lithography)是制造晶體管及它們之間的連結(jié)的關(guān)鍵技術(shù),在半導(dǎo)體制程上較狹義之定義,一般是指以光子束經(jīng)由圖罩(Mask, Reticle)對晶圓(Wafer)上之阻劑照射;以電子束、離子束經(jīng)由圖罩、圖規(guī)(Stencil)對阻劑照射;或不經(jīng)由圖罩、圖規(guī),對阻劑直接照射(直寫),使阻劑產(chǎn)生極性變化、主鏈斷鏈、主鏈交連等化學(xué)作用,經(jīng)顯影后將圖罩、圖規(guī)或直寫之特定圖案轉(zhuǎn)移至晶圓。   [ 查看詳細(xì) ]

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