微電子器件 文章 進(jìn)入微電子器件技術(shù)社區(qū)
美國開發(fā)出不依賴半導(dǎo)體的微電子器件
- 美國加州大學(xué)圣地亞哥分校的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一款基于納米結(jié)構(gòu)的、不依賴半導(dǎo)體傳導(dǎo)的光控微電子器件，在低電壓和低功率激光激發(fā)的條件下可將電導(dǎo)率比現(xiàn)有半導(dǎo)體器件提高近10倍。這一成果發(fā)表在11月4日的《自然·通訊》雜志上。 傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件受到材料本身的限制，在頻率、功耗等方面存在極限，而利用自由電子替代半導(dǎo)體材料通常需要高電壓、大功率激光或高溫激發(fā)。該團(tuán)隊(duì)在硅片上用金加工出一種類似蘑菇形狀的納米結(jié)構(gòu)(稱為“超材料”結(jié)構(gòu))，在10伏以下的直流電壓和低功率紅外激光
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全球首個(gè)無半導(dǎo)體的微電子器件問世 導(dǎo)電性能增加10倍
- 近日，加利福尼亞大學(xué)圣地亞哥分校(University of California San Diego)的工程師利用超材料(metamaterials)研發(fā)出世界上首個(gè)無半導(dǎo)體的光控微電子器件，該電子器件僅在低電壓、低功率激光的激發(fā)下，導(dǎo)電性能相比傳統(tǒng)增加10倍。該技術(shù)有利于制造更快、更高功率的微電子器件，并有望制造更高效的太陽能電池板。 該研究發(fā)表于11月4日的國際期刊《Nature Communications》。 無半導(dǎo)體電子器件。圖片來源：UCSan Diego Applied
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復(fù)旦研制新型微電子器件半浮柵晶體管 有望提速CPU
- 復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長、國家02重大專項(xiàng)總體組專家張衛(wèi)教授領(lǐng)銜的科研團(tuán)隊(duì)研制出一種新型的微電子器件——半浮柵晶體管(SFGT)，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、速度更快，操作電壓更低，為設(shè)計(jì)低功耗芯片奠定了基礎(chǔ)。相關(guān)研究成果刊登于8月8日出版的《科學(xué)》雜志上。這是我國科學(xué)家在該雜志上發(fā)表的第一篇微電子器件方面的論文。 據(jù)介紹，張衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)長期從事集成電路工藝和半導(dǎo)體器件的研究。這一成果被業(yè)內(nèi)學(xué)者稱為將可能改變近年來IT業(yè)界所擔(dān)憂的問題:技術(shù)的發(fā)展將使摩爾定律達(dá)到極限無法再突破。這也
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