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	微結(jié)構(gòu)
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          微結(jié)構(gòu)不均勻性（負載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進DR
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  微結(jié)構(gòu)                          
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          微結(jié)構(gòu)介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條微結(jié)構(gòu)!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對微結(jié)構(gòu)的理解，并與今后在此搜索微結(jié)構(gòu)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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