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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 憶阻器

          【對(duì)話(huà)前沿專(zhuān)家】基于憶阻器科研,展望系統(tǒng)和器件協(xié)同測(cè)試未來(lái)可能性

          • 泰克科技產(chǎn)品技術(shù)應(yīng)用總監(jiān)張欣與清華大學(xué)集成電路學(xué)院高濱老師探討憶阻器、類(lèi)腦計(jì)算科研進(jìn)展
          • 關(guān)鍵字: 憶阻器  協(xié)同測(cè)試  

          馮丹:憶阻器RRAM最有希望取代DRAM

          •   日前,一年一度的中國(guó)存儲(chǔ)峰會(huì)在北京如期舉行,“數(shù)據(jù)中流擊水,浪遏飛舟”是今年大會(huì)主題,論道存儲(chǔ)未來(lái),讓數(shù)據(jù)釋放價(jià)值,業(yè)界嘉賓圍繞中國(guó)及全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了深入解讀,干貨滿(mǎn)滿(mǎn)。下午第三分論壇,中國(guó)計(jì)算機(jī)協(xié)會(huì)信息存儲(chǔ)專(zhuān)委會(huì)主任馮丹作為開(kāi)場(chǎng)嘉賓,就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢(shì)及RRAM(阻變存儲(chǔ)器)性能優(yōu)化方法展開(kāi)主題演講。馮丹表示,當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計(jì)算與存儲(chǔ)深度融合的發(fā)展趨勢(shì),而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也認(rèn)為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)
          • 關(guān)鍵字: 憶阻器  RRAM  

          cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)

          • cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比,基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲(chǔ)功能,讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時(shí)間常數(shù)建立圖像背景模型。
          • 關(guān)鍵字: cmos  憶阻器  傳感器  

          全新憶阻器超越現(xiàn)有機(jī)器學(xué)習(xí)系統(tǒng)

          •   在當(dāng)今“大數(shù)據(jù)”時(shí)代,現(xiàn)有計(jì)算機(jī)硬件架構(gòu)已面臨速度和高能耗的瓶頸??萍既?qǐng)?bào)記者日前采訪(fǎng)美國(guó)密西根大學(xué)電子工程與計(jì)算機(jī)系盧偉教授獲悉,他帶領(lǐng)同事研發(fā)出一種全新憶阻器(Memristor)陣列芯片,其處理圖片和視頻等復(fù)雜數(shù)據(jù)的速度和能效,超越了現(xiàn)有最先進(jìn)機(jī)器學(xué)習(xí)系統(tǒng)。相關(guān)論文發(fā)表在最近一期《自然·納米技術(shù)》雜志上。   目前,用機(jī)器學(xué)習(xí)來(lái)處理大數(shù)據(jù)越來(lái)越受重視。不過(guò)現(xiàn)有的機(jī)器學(xué)習(xí)只是基于現(xiàn)有硬件架構(gòu)在算法上進(jìn)行革新,在學(xué)習(xí)和推理過(guò)程中仍需不斷在處理器和存儲(chǔ)器之間轉(zhuǎn)移
          • 關(guān)鍵字: 機(jī)器學(xué)習(xí)  憶阻器  

          具有實(shí)時(shí)跟蹤功能的憶阻視覺(jué)傳感器架構(gòu)

          • 摘要――本文介紹一個(gè)依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu)。內(nèi)置光頻轉(zhuǎn)換器(L2F)的像素是圖像處理的核心組件,其輸出的與光強(qiáng)成正比的數(shù)字脈沖被施加到憶阻器后,憶阻器電阻將會(huì)發(fā)生相應(yīng)變化。
          • 關(guān)鍵字: 憶阻器  視覺(jué)傳感器  光阻轉(zhuǎn)換  背景提取  

          美國(guó)發(fā)明輝鉬憶阻器 或?qū)⒏淖兾磥?lái)半導(dǎo)體領(lǐng)域方向

          •   據(jù)美國(guó)科學(xué)學(xué)術(shù)網(wǎng)3日?qǐng)?bào)道,美科學(xué)家最近使用輝鉬制成了輝鉬基柔性憶阻器,可以用其制造低功耗的超高速存儲(chǔ)與計(jì)算芯片,科學(xué)學(xué)術(shù)網(wǎng)認(rèn)為這一發(fā)明很可能讓半導(dǎo)體芯片世界從“硅時(shí)代”跨越到“輝鉬時(shí)代”。   
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  憶阻器  

          2013 年前使用憶阻器的記憶裝置將上市

          •   這個(gè)禮拜有一則大新聞,是 HP 將和 Hynix 合作,在 2013 年前讓使用憶阻器(Memristor)的記憶裝置上市,和閃存一較高下。這在業(yè)界被認(rèn)為是一個(gè)重要的里程碑,但是憶阻器究竟是什么?它有什么神奇的特 性,讓它這么受重視?在這篇里小姜試著用最簡(jiǎn)單的方式,介紹憶阻器這有趣的「新」電子零件給大家,并且探討為什么它可能是晶體管以來(lái),最重要的電子進(jìn)展。   什么是憶阻器?   憶阻器的英文 Memristor 來(lái)自「Memory(記憶)」和「Resistor(電阻)」兩個(gè)字的合并,從這兩個(gè)字可
          • 關(guān)鍵字: Hynix  憶阻器  

          2013 年前使用憶阻器的記憶裝置將上市

          •   這個(gè)禮拜有一則大新聞,是 HP 將和 Hynix 合作,在 2013 年前讓使用憶阻器(Memristor)的記憶裝置上市,和閃存一較高下。這在業(yè)界被認(rèn)為是一個(gè)重要的里程碑,但是憶阻器究竟是什么?它有什么神奇的特 性,讓它這么受重視?在這篇里小姜試著用最簡(jiǎn)單的方式,介紹憶阻器這有趣的「新」電子零件給大家,并且探討為什么它可能是晶體管以來(lái),最重要的電子進(jìn)展。   什么是憶阻器?   憶阻器的英文 Memristor 來(lái)自「Memory(記憶)」和「Resistor(電阻)」兩個(gè)字的合并,從這兩個(gè)字可
          • 關(guān)鍵字: Hynix  憶阻器  

          用憶阻器來(lái)模擬人腦學(xué)習(xí)過(guò)程

          •   我們一般把人腦的位細(xì)胞叫做突觸(synapses),美國(guó)密西根大學(xué)研究人員指出,憶阻器(memristor)的功能特性是所有的電子組件中與突觸最相近的;他們最近展示單一憶阻器如何以與人腦相同的方式來(lái)學(xué)習(xí)同樣的技術(shù)。   人類(lèi)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的學(xué)習(xí)模式,能達(dá)到像是特殊算法那樣、對(duì)工程師來(lái)說(shuō)都很難的程度,主要是依賴(lài)一種稱(chēng)為突觸的模擬內(nèi)存元素;該元素目前正被科學(xué)家用做今日超級(jí)計(jì)算機(jī)中的一種數(shù)值來(lái)進(jìn)行模擬。   學(xué)習(xí)行為的發(fā)生,是由于來(lái)自人體各感官的功能探測(cè)器──像是眼睛內(nèi)的邊緣傳感器,就會(huì)產(chǎn)生一種同步電壓突波
          • 關(guān)鍵字: 電子  憶阻器  

          美制成與大腦突觸類(lèi)似的憶阻器電路

          •   幾乎從計(jì)算機(jī)問(wèn)世那天起,科學(xué)家和技術(shù)人員就夢(mèng)想著有朝一日計(jì)算機(jī)也能像人腦一樣工作。日前,美國(guó)密歇根大學(xué)的一個(gè)研究小組稱(chēng),他們制成了一種模擬大腦突觸的憶阻器電路,證實(shí)了此前關(guān)于憶阻器能用于電腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)制作的設(shè)想。相關(guān)論文發(fā)表在最新一期的《納米快報(bào)》雜志上。   突觸是兩個(gè)神經(jīng)元之間或神經(jīng)元與效應(yīng)器細(xì)胞之間相互接觸并借以傳遞信息的部位。對(duì)于中樞神經(jīng)系統(tǒng)內(nèi)的大多數(shù)神經(jīng)元來(lái)說(shuō),突觸是其神經(jīng)信號(hào)的唯一輸入渠道。 中樞神經(jīng)系統(tǒng)中的神經(jīng)元都以突觸的形式互聯(lián),繼而形成復(fù)雜的神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)。自2008年4月美國(guó)惠普實(shí)驗(yàn)室
          • 關(guān)鍵字: 憶阻器  納米  電子元件  

          后危機(jī)時(shí)代,傳統(tǒng)電子組件迎來(lái)創(chuàng)新與變革

          •   目前,在一個(gè)典型的電子產(chǎn)品中,IC和分立的傳統(tǒng)元件占全部電子元器件及零部件的生產(chǎn)總成本的約50%和10%,而在總安裝成本中情況恰恰相反,分立元件的安裝成本占據(jù)了50%,某些片式元件的管理和安裝成本已經(jīng)超過(guò)其價(jià)格。在利潤(rùn)日趨微薄的電子產(chǎn)品,特別是消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域,對(duì)傳統(tǒng)分立元件小型化、集成化發(fā)展呼聲日益高漲。帶動(dòng)無(wú)源元件消耗量、小型化和集成化的是手機(jī)、筆記本電腦和平板電視、智能家電和發(fā)展迅猛的個(gè)人便攜電子設(shè)備,因?yàn)檫@些產(chǎn)品在設(shè)計(jì)中對(duì)電容、電阻、電感、傳感、濾波和脈沖能力的要求越來(lái)越高,而產(chǎn)品體積卻越做越
          • 關(guān)鍵字: 電子元器件  電容  憶阻器  

          美國(guó)研制出納米級(jí)憶阻器芯片

          •   美國(guó)密歇根大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種由納米級(jí)憶阻器構(gòu)成的芯片,該芯片能存儲(chǔ)1千比特的信息。發(fā)表在《納米快報(bào)》(Nano Letters)上的此項(xiàng)研究成果將有可能改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。   憶阻器是一種電腦元件,可在一簡(jiǎn)單封裝中提供內(nèi)存與邏輯功能。此前,由于可靠性和重復(fù)性問(wèn)題,所展示的都是只有少數(shù)憶阻器的電路,而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統(tǒng)并能與CMOS兼容的超高密度內(nèi)存陣列。CMOS指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,是一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  芯片  憶阻器  
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          憶阻器介紹

          基礎(chǔ)電子學(xué)教科書(shū)列出三個(gè)基本的被動(dòng)電路元件:電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁通量。任教于加州大學(xué)伯克利分校,并且是新竹交通大學(xué)電子工程系榮譽(yù)教授的蔡少棠(Leon Chua),37年前就預(yù)測(cè)有第四個(gè)元件的存在,即憶阻器(memristor),實(shí)際上就是一個(gè)有記憶功能的非線(xiàn)性電阻器。 惠普公司實(shí)驗(yàn)室的研究人員最近證明憶阻器的確存在,研究論文在08年5月1日的《自 [ 查看詳細(xì) ]

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