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恒憶Omneo系列相變存儲器耐寫次數(shù)高達100萬次
- 近日，恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(PCM)的創(chuàng)新者，宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設計簡易性，適用于固線和無線通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場供貨。 這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點于一身，一顆存儲器芯片即可實現(xiàn)很多新功能。新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM，其寫入速度有望達到現(xiàn)有閃存的300倍，耐寫次
- 關鍵字： 恒憶 相變存儲器
非易失性半導體存儲器的相變機制
- 非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而代碼執(zhí)行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。 經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術的堅持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們越來越關注有望至少在2020年末以前升級到更小技術節(jié)點的新式存儲器機制和材料。 目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器(PC
- 關鍵字： 恒憶 NVM 存儲器 浮柵存儲
恒憶推出新系列NAND閃存
- 恒憶公司（Numonyx）針對無線通信、嵌入式設計和數(shù)據(jù)存儲市場推出新系列NAND閃存產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括32Gb（gigabits）的多級單元 (MLC) NAND閃存、32GB（gigabytes）的eMMC存儲芯片和高達8 GB的 microSD產(chǎn)品，全部采用先進的41nm制造工藝。對于手機、便攜導航儀等消費電子產(chǎn)品廠商，這些新產(chǎn)品將是一系列易于設計的存儲器解決方案；對于消費者，新產(chǎn)品將提供更大的存儲空間，他們可以在設備上保存相片、視頻和音樂，使用流行的多媒體應用程序。 從機頂盒到手機，凡
- 關鍵字： 恒憶
恒憶與海力士擴大合作 共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術與產(chǎn)品
- 恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品，進行技術創(chuàng)新。 根據(jù)新協(xié)議，恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供領先的NAND存儲器技術和產(chǎn)品，并且整合資源以加快未來NAND技術及解決方案的開發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動DRAM領域，雙方也將進行合作。 恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示："未來五年，在
- 關鍵字： NAND 恒憶 海力士 閃存
恒憶推出低價低功耗DDR接口非揮發(fā)性RAM產(chǎn)品
- 恒憶 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列，此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲器，不但可以給手機和消費性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲性能，而且比目前其他解決方案價格更低。這些裝置在提供高動態(tài)隨機存儲器（DRAM）內(nèi)容平臺低成本解決方案的同時，還可達到比傳統(tǒng)NOR Flash存儲器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來相變存儲器 (PCM) 產(chǎn)品提供了無縫的絕佳架構(gòu)途
- 關鍵字： 存儲器 恒憶 Numonyx RAM
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