意法半導體（st） 文章 進入意法半導體（st）技術(shù)社區(qū)
ST專為車用的升級版32-Mbit閃存芯片
- 意法半導體推出一個新的專門為汽車市場開發(fā)的升級版32-Mbit閃存芯片M58BW32F。新產(chǎn)品因為能夠在汽車的全程溫度范圍內(nèi)對存儲器進行高速存取操作，所以特別適合汽車客戶對傳動系統(tǒng)和變速器控制模塊的需求，同時還適用于其它的配備了最新的32位微控制器的高性能汽車系統(tǒng)。 新產(chǎn)品M58BW32F采用先進的0.11微米制造技術(shù)，汲取了ST在獨立式和嵌入式閃存產(chǎn)品研發(fā)方面多年領先的技術(shù)經(jīng)驗。新產(chǎn)品獲得汽車級質(zhì)量認證，并符合汽車電子協(xié)會的AEC-Q100標準（修訂版），
- 關鍵字： ST 單片機 工業(yè)控制 汽車電子 嵌入式系統(tǒng) 閃存芯片 意法 工業(yè)控制
意法車用32-Mbit閃存演繹更高存取性能
- 新技術(shù)給 M58BW32F帶來多項重要功能， 包括低壓操作、更高存取性能、靈活的保護機制 意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一個新的專門為汽車市場開發(fā)的升級版32-Mbit閃存芯片M58BW32F。新產(chǎn)品因為能夠在汽車的全程溫度范圍內(nèi)對存儲器進行高速存取操作，所以特別適合汽車客戶對傳動系統(tǒng)和變速器控制模塊的需求，同時還適用于其它的配備了最新的32位微控制器的高性能汽車系統(tǒng)。 新產(chǎn)品M58BW32F采用先進的0.11微米制造技術(shù)，汲取了ST在獨立式和嵌入式閃存產(chǎn)品研發(fā)方面多年
- 關鍵字： 32bit 32-bit LBGA80封裝 ST 單片機 高速存取 汽車 汽車電子 嵌入式 嵌入式系統(tǒng) 閃存 意法半導體 封裝 汽車電子
ST推出微型封裝USB 2.0接口ESD保護IC
- 意法半導體日前推出一個低電容的ESD保護IC，該產(chǎn)品現(xiàn)有SOT-666和SOT-23兩種微型封裝，用于保護USB 2.0高速接口的兩條數(shù)據(jù)線路和電源軌。新產(chǎn)品USBLC6-2P6 (SOT-666) 和 USBLC6-2SC6 (SOT-23)的典型電容2.5pF，能夠確保480-Mbit/s數(shù)據(jù)傳輸速率的USB 2.0信號沒有任何失真，這兩款產(chǎn)品的防靜電放電防護電壓達到IEC61000-4-2 第4級15kV標準。 USBLC6實現(xiàn)了
- 關鍵字： ST USB 2.0 通訊與網(wǎng)絡 封裝
ST發(fā)布6位單片電平轉(zhuǎn)換器用于手機存儲卡
- 意法半導體(ST)日前發(fā)布兩款采用3mm
- 關鍵字： 6位單片電平轉(zhuǎn)換器 ST 電源技術(shù) 存儲器
ST車用大電流功率場效應晶體管導通電阻
- 意法半導體日前針對汽車市場推出新的大電流功率場效應MOS晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的STripFET專利技術(shù)，實現(xiàn)了最低的導通電阻。 據(jù)介紹，STD95N04是一個40V標準電平的DPAK產(chǎn)品，最大導通電阻RDS(on)6.5mΩ，專門為DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機控制、電磁閥驅(qū)動器和ABS設計的。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5mΩ區(qū)間內(nèi)，能夠滿足標準閾壓的驅(qū)動要求。STD95N04符合汽車電工理事會組件技術(shù)委員會針對汽車環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作
- 關鍵字： ST 車用大電流功率場效應晶體管 電源技術(shù) 電阻 電位器
ST新一代多片手機NAND閃存滿足多媒體
- 意法半導體(ST)日前推出一個多片封裝(MCP)的存儲器產(chǎn)品組合，該系列產(chǎn)品是為滿足第三代手機和CDMA以及便攜消費產(chǎn)品的多媒體應用需求而設計，這類產(chǎn)品要求在更小的空間內(nèi)提供更大的存儲容量。新IC在同一封裝內(nèi)整合了密度達1Gbit的NAND閃存和512Mbit PSDRAM(低功耗同步動態(tài)RAM存儲器)，因為是與芯片組工具和操作系統(tǒng)廠商合作開發(fā)，所以能夠符合手機制造商的需求，并兼容市場上主要的手機平臺。 市場對第三代手機的多媒體應用的需求日益提高，目前的機型都具有拍照、攝像和播放以及上網(wǎng)功
- 關鍵字： NAND閃存 ST 電源技術(shù) 移動多媒體
ST車用大電流功率場效應晶體管導通電阻
- 意法半導體日前針對汽車市場推出新的大電流功率場效應MOS晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的STripFET專利技術(shù)，實現(xiàn)了最低的導通電阻。 據(jù)介紹，STD95N04是一個40V標準電平的DPAK產(chǎn)品，最大導通電阻RDS(on)6.5mΩ，專門為DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機控制、電磁閥驅(qū)動器和ABS設計的。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5mΩ區(qū)間內(nèi)，能夠滿足標準閾壓的驅(qū)動要求。STD95N04符合汽車電工理事會組件技術(shù)委員會針對汽車環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作
- 關鍵字： ST 導通電阻 模擬技術(shù) 效應晶體管 電阻 電位器
ST率先推出高性能128兆位串行閃存芯片
- 世界第一大串行閃存廠商利用2位每單元技術(shù) 提高代碼存儲器的存儲密度，節(jié)省電路板空間和制造成本。 意法半導體推出了新的128-Mbit 串行閃存芯片M25P128，新產(chǎn)品主要用于各種高性能的成本敏感的計算機和消費產(chǎn)品的代碼存儲應用。這個128-Mbit的產(chǎn)品完善了ST現(xiàn)有的代碼存儲產(chǎn)品組合(從512 Kbits到64 Mbits) ，同時還是這個市場上同一密度級別的第一個串行閃存芯片。 M25P128采用ST經(jīng)過實踐證明的先進的2位/單元閃存技術(shù)，因為每個存儲單元保存
- 關鍵字： ST 串行閃存芯片 模擬技術(shù)
ST榮獲EDN雜志2005年創(chuàng)新獎兩項提名
- 意法半導體宣布其最近發(fā)布的兩款產(chǎn)品從眾多的各類后選產(chǎn)品中脫穎而出，闖進本年度EDN創(chuàng)新獎的決賽圈。 ST的SPEAr (結(jié)構(gòu)化處理器增強型體系結(jié)構(gòu)) 系列可配置系統(tǒng)芯片獲得最佳ASSP/SoC提名，STw4141 直流/直流轉(zhuǎn)換器出現(xiàn)在為數(shù)不多的本年度功率IC獎最終后選產(chǎn)品名單上。EDN的創(chuàng)新獎授予杰出的電子產(chǎn)品和專業(yè)人員，評委是由全世界的工程師和工程管理者組成。 “評選出EDN年度創(chuàng)新獎中最后決賽產(chǎn)品的晉級標準似乎很細微：較低的功率，更低的成本，識別快速信號的能力
- 關鍵字： EDN ST 模擬技術(shù)
意法半導體（st）介紹
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