抗短路穩(wěn)健性 文章 進(jìn)入抗短路穩(wěn)健性技術(shù)社區(qū)
Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑
- 新世代電力系統(tǒng)的未來,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.近日宣布,利用該公司的一項專利技術(shù),在氮化鎵功率晶體管上實現(xiàn)了長達(dá)5微秒的短路耐受時間(SCWT)。這是同類產(chǎn)品有記錄以來首次達(dá)到的成就,也是整個行業(yè)的一個重要里程碑,證明?Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機(jī)、工業(yè)電機(jī)和汽車動力傳動系統(tǒng)等傳統(tǒng)上由硅?IGBT 或碳化硅(SiC)MOSFET 提供支持的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應(yīng)用領(lǐng)域未來五年的
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抗短路穩(wěn)健性介紹
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