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持久內(nèi)存
持久內(nèi)存 文章 進(jìn)入持久內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
Intel宣布第三代傲騰持久內(nèi)存：又一次全球首創(chuàng)
- 在今年的內(nèi)存與存儲(chǔ)日活動(dòng)上，Intel不但推出了基于144層QLC NAND閃存的企業(yè)級(jí)SSD D7-P5510/D5-P5316、消費(fèi)級(jí)SSD 670p，基于新一代傲騰介質(zhì)的企業(yè)級(jí)SSD P5800X、混合式SSD H20，還帶來(lái)了新一代傲騰持久內(nèi)存(PMem)的消息。傲騰持久內(nèi)存條的誕生并非為了取代傳統(tǒng)DRAM DDR系列內(nèi)存，現(xiàn)在不會(huì)未來(lái)也不會(huì)，而是聯(lián)合傲騰SSD，共同作為DRAM DDR內(nèi)存條與NAND閃存固態(tài)盤(pán)之間的橋梁，填補(bǔ)二者之間在容量、性能上的空檔，構(gòu)成一個(gè)完整的存儲(chǔ)體系。其中，傲騰持久內(nèi)
- 關(guān)鍵字： Intel 傲騰 持久內(nèi)存
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持久內(nèi)存介紹
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