振蕩器文章進入振蕩器技術(shù)社區(qū)

數(shù)控振蕩器的FPGA設(shè)計

設(shè)系統(tǒng)的時鐘頻率為fc，頻率控制字為M，相位寄存器位數(shù)為N，則數(shù)控振蕩器輸出信號頻率為。通過將CORDIC迭代過程、...
關(guān)鍵字： CORDIC 相位振蕩器迭代過程查找表累加器 FPGA實現(xiàn) 仿真波形算法數(shù)控

Ku波段低相噪頻率源的研制

　　1 引言　　隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，目前的電子產(chǎn)品特別是軍用產(chǎn)品的工作頻段大量地由射頻轉(zhuǎn)向微波，Ku、K波段的振蕩器、頻率合成器、低噪聲放大器等已經(jīng)十分常見。作為各種電子系統(tǒng)核心部件的頻率合成器(簡稱頻綜)，雖然有著70多年的發(fā)展歷史，其理論基礎(chǔ)可謂相當(dāng)完善，但仍然受到實際應(yīng)用的嚴(yán)峻考驗。目前的頻率合成器正朝著模塊化、小型化、低功耗、高頻譜純度和多點快速捷變的方向發(fā)展。　　本文研究的頻率合成器是工作在11.8 GHz上的一個點頻源，其各項技術(shù)指標(biāo)要求如下：　　輸入頻率：10 MHz;輸入
關(guān)鍵字：頻率振蕩器放大器消費電子

傳輸型耦合介質(zhì)振蕩器的計算機輔助設(shè)計

　　1 引言　　隨著微波半導(dǎo)體技術(shù)和微波集成電路的發(fā)展，微波設(shè)備和系統(tǒng)也趨向于小型化、輕量化、固態(tài)化和集成化。微波系統(tǒng)中的微波源也對其諧振器的小型化、高Q值提出了迫切的要求。微波介質(zhì)諧振器振蕩器(DRO)由于使用高Q值(5 000～10 000)的微波介質(zhì)諧振器作為穩(wěn)頻元件，故具有頻率穩(wěn)定度高、體積小、重量輕、價格低、結(jié)構(gòu)簡單等突出優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代衛(wèi)星通信和其他微波系統(tǒng)中，成為新一代的微波固態(tài)源。　　根據(jù)DR對振蕩電路的不同耦合方式和所起的作用，DRO通常可采用兩種類型的電路來實現(xiàn)：　
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 半導(dǎo)體集成電路振蕩器半導(dǎo)體材料

SiTime新推超薄、高效能可編程MEMS振蕩器

　　以微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)開發(fā)硅振蕩器產(chǎn)品的SiTime公司，自去年推出第一代產(chǎn)品后，已于日前達到每周出貨10萬顆的里程碑?？春靡源诵屡d技術(shù)取代傳統(tǒng)的石英振蕩器的趨勢，SiTime又推出兩款新產(chǎn)品，企圖以更佳的效能，擴大其應(yīng)用范圍。　　首先，SiTime發(fā)表了目前業(yè)界最輕薄的振蕩器，這款型號為SiT8002UT的產(chǎn)品厚度僅有0.37mm，適用于行動裝置、多芯片模塊以及自動化應(yīng)用等市場。　　SiTime公司資深產(chǎn)品營銷經(jīng)理JasonSharma表示，SiT8002UT的大小僅有3.0x3.5x
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 MEMS SiTime 振蕩器 MCU和嵌入式微處理器

意法半導(dǎo)體發(fā)布集成壓控振蕩器(VCO)的射頻合成器

意法半導(dǎo)體推出了該公司新開發(fā)的在當(dāng)今市場上頻率覆蓋率最高的集成壓控振蕩器(VCO)的射頻合成器。ST的STW81103是第一個輸出頻率高達5GHz的單片射頻合成器，滿足了微波無線電應(yīng)用領(lǐng)域的設(shè)備制造商對注重空間和成本效益的解決方案的需求。這些元器件的目標(biāo)應(yīng)用包括無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、CATV系統(tǒng)、儀表和測試設(shè)備。頻率合成器是大多數(shù)射頻前端設(shè)計的基礎(chǔ)，其性能高低對整個系統(tǒng)的運行有很大的影響。相位噪聲最小化和寬帶頻率范圍最大化是今天的通信設(shè)備對信號源組件的主要需求。以滿足這些需求為目的， ST的STW8
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機意法半導(dǎo)體振蕩器嵌入式

Maxim推出DS4026數(shù)控溫度補償晶體振蕩器

Maxim推出DS4026數(shù)控溫度補償晶體振蕩器(DC-TCXO)，具有空前的精度。在-40
關(guān)鍵字：測試測量 Maxim DS4026 振蕩器測試測量

Daishinku溫度晶體振蕩器可工作在+1.8V

Daishinku公司公布了工作在+1.8V的低電壓SMD型溫度補償晶體振蕩器(TCXO)。這種新的TCXO(DSB321SE)將有助于進一步減小GPS接收端模塊的設(shè)計。目前，公司已經(jīng)提供DSB321SE的樣片。 KDSDaishinku生產(chǎn)用于GPS市場的SMD型溫度補償晶體振蕩器(TCXO)已經(jīng)多年，目前的DSB321SD可以工作在不高于+2.4V的電壓，然而新的DSB321SE能夠工作在+1.8V。最新+1.8V產(chǎn)品相對于溫度的頻率穩(wěn)定性是：當(dāng)溫度在(-20攝氏度，+60攝氏度
關(guān)鍵字： Daishinku 電源技術(shù) 晶體模擬技術(shù) 振蕩器

一種新型數(shù)字溫度測量電路的設(shè)計及實現(xiàn)

摘　要：提出一種內(nèi)嵌時鐘功能的溫度測量電路的設(shè)計方案。測溫電路利用溫度傳感器監(jiān)測外界溫度的變化,通過振蕩器將溫度傳感器的阻值變化轉(zhuǎn)換為頻率信號的變化,實現(xiàn)模擬信號到數(shù)字信號的轉(zhuǎn)換,然后利用數(shù)字信號處理方法計算得出溫度值,實現(xiàn)溫度的測量。關(guān)鍵詞：溫度傳感器振蕩器 FPGA 用傳統(tǒng)的水銀或酒精溫度計來測量溫度,不僅測量時間長、讀數(shù)不方便、而且功能單一,已經(jīng)不能滿足人們在數(shù)字化時代的要求。本文提出了一種新型的數(shù)字式溫度測量電路的設(shè)計方案,該方案集成了溫度測量電路和實時日歷時鐘電路。
關(guān)鍵字： FPGA 測量測試溫度傳感器振蕩器

從嵌入CMOS MEMS振蕩器展望IC設(shè)計的潛在變革

摘要：隨著CMOS MEMS振蕩器大規(guī)模制造技術(shù)的成熟，應(yīng)用將涉及汽車、電視、攝像機、個人電腦、便攜式設(shè)備等等幾乎一切電子設(shè)備，本文向中國工程師概要介紹CMOS MEMS諧振器主流技術(shù)及行業(yè)動態(tài)、在IC中嵌入CMOS MEMS振蕩器的設(shè)計流程以及相關(guān)支持工具的發(fā)展趨勢。關(guān)鍵詞： MEMS，振蕩器，CMOS MEMS，IC設(shè)計，EDA MEMS技術(shù)將會給幾乎所有種類的電子產(chǎn)品帶來一場革命，特別是隨著CMOS MEMS振蕩器大規(guī)模制造技術(shù)的成熟，消費電子產(chǎn)品制造商、硬盤制造商以及其它產(chǎn)
關(guān)鍵字： 0701_A MEMS 單片機嵌入式系統(tǒng) 雜志_技術(shù)長廊振蕩器 EDA IC設(shè)計

利用MCU的內(nèi)部振蕩器為電源增加智能控制

傳統(tǒng)上，開關(guān)電源（SMPS）是用一個基本的模擬控制環(huán)路來實現(xiàn)的，但數(shù)字信號控制器（DSC）技術(shù)的最新發(fā)展使得采用全數(shù)字控制機制的設(shè)計變得非常實用和經(jīng)濟，但是，預(yù)計全數(shù)字控制技術(shù)將最初應(yīng)用在高端產(chǎn)品中，因為在高端產(chǎn)品中，該技術(shù)得好處非常明顯和直接。然而，許多模擬電源應(yīng)用也能從即使最小、最便宜的微控制器（MCU）所提供的可配置能力和智能中獲得很多好處，實際上，在電源中最少可能有4個獨立的數(shù)字控制階段，它們是開/關(guān)控制，比例控制配置、控制數(shù)字反饋或全數(shù)字控制，其中開關(guān)控制階段具有一些令人矚目的優(yōu)勢。通過使傳統(tǒng)開
關(guān)鍵字： MCU SMPS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 振蕩器模擬IC 電源

峰值電流模式升壓DC-DC變換器中斜坡補償?shù)姆治雠c設(shè)計

摘要：本文通過分析固定頻率、峰值電流模式升壓DC-DC變換器中斜坡補償?shù)幕驹?，提出了一種簡單實用的斜坡補償電路。該電路利用恒定電流充放電型振蕩器產(chǎn)生的斜坡電壓信號，通過一個V-I電路轉(zhuǎn)換成可作為斜率補償用的斜坡電流信號。關(guān)鍵詞：峰值電流模式；振蕩器；斜坡補償引言開關(guān)電源按控制模式可以分為電壓模式和電流模式兩大類。相比電壓模式而言，電流模式因動態(tài)響應(yīng)快、補償電路簡單、增益帶寬大、易于并行輸出等優(yōu)點而獲得廣泛應(yīng)用。但是，在峰值電流模式中存在如下問題：占空比大于50%時系統(tǒng)的開
關(guān)鍵字：電源技術(shù) 峰值電流模式模擬技術(shù) 斜坡補償振蕩器

基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計

引言隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實際工藝實現(xiàn)電路時，會發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現(xiàn)的器件來代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
關(guān)鍵字： CMOS RF專題電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻振蕩器

利用555定時器構(gòu)成白光LED電壓調(diào)節(jié)器的方法

本文以一個555定時器為主要器件構(gòu)成電壓調(diào)節(jié)電路(如圖所示)，用來控制一個或多個白光LED。...
關(guān)鍵字：振蕩器復(fù)位存儲

放大器、混頻器和振蕩器的通用規(guī)范

本文介紹并定義了在混頻器、放大器和振蕩器的數(shù)據(jù)資料中用到的RF術(shù)語，包括增益、變頻增益、相位噪聲、三階截取點、P1dB、插入損耗、輸出功率、調(diào)諧增益和調(diào)諧范圍，另外還給出了圖形和圖像以闡明關(guān)鍵的概念。這些在無線IC數(shù)據(jù)資料中出現(xiàn)的通用規(guī)范都是與放大器、混頻器和振蕩器有關(guān)的。放大器和混頻器的規(guī)范是基本相同的，只有很少的例外。壓控振蕩器(VCO)有一套單獨的規(guī)范。放大器和混頻器的通用規(guī)范增益是無線組成部件(例如放大器或混頻器)中電壓或功率的增加。在數(shù)
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振蕩器介紹

振蕩器（英文：oscillator）是一種能量轉(zhuǎn)換裝置——將直流電能轉(zhuǎn)換為具有一定頻率的交流電能。其構(gòu)成的電路叫振蕩電路. 　　低頻振蕩器（low-frequency oscillator，或稱LFO）是指產(chǎn)生頻率在0.1赫茲到10赫茲之間交流訊號的振蕩器。這個詞通常用在音訊合成中，用來區(qū)別其他的音訊振蕩器。　　振蕩器主要可以分成兩種：諧波振蕩器（harmonic oscillat [ 查看詳細 ]