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損耗分析文章進入損耗分析技術(shù)社區(qū)

新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用ldquo
關(guān)鍵字： IGBT 軟開關(guān) 損耗分析

電子輻照對功率雙極晶體管損耗分析

功率雙極晶體管由于其低廉的成本，在開關(guān)電源中作為功率開關(guān)管得到了廣泛的應(yīng)用。應(yīng)用電子輻照技術(shù)可以減小少子壽命，降低功率雙極晶體管的儲存時間、下降時間，提高開關(guān)速度，且一致性、重復(fù)性好，成品率高，
關(guān)鍵字：電子輻照雙極晶體管損耗分析

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損耗分析介紹

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損耗分析專欄文章

安科瑞能耗管理系統(tǒng)在重慶潤芯項目的設(shè)計與應(yīng)用-潘麗

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