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          光學(xué)光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應(yīng)

          • 半導(dǎo)體制造中微型化的進(jìn)展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準(zhǔn)確模擬這些圖形產(chǎn)生的衍射要求運(yùn)用精 ...
          • 關(guān)鍵字: 光學(xué)光刻  EUV光刻  掩膜  晶圓形貌  

          Vistec Lithography宣布與華中科技大簽署戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議

          •   電子束光刻系統(tǒng)的知名廠商Vistec Lithography公司近日宣布他們與中國(guó)武漢華中科技大學(xué)光電工程學(xué)院簽署了戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。武漢華中科技大學(xué)是大陸國(guó)家級(jí)重點(diǎn)院校之一,而 Vistec Lithography則是電子束光刻設(shè)備的領(lǐng)先廠商,按協(xié)議規(guī)定,兩家將在納米光刻技術(shù)研究和教學(xué)領(lǐng)域開(kāi)展合作。   這次合作的核心是Vistec公司提供給華中科技大學(xué)的EBPG5000pES電子束光刻系統(tǒng),裝備這套系統(tǒng)之后,華中科技大學(xué)在教學(xué),科研以及對(duì)外合作方面的實(shí)力將如虎添翼。華中科技大學(xué)稱:“
          • 關(guān)鍵字: Vistec-Lithography  光刻  掩膜  

          德國(guó)建立32nm光刻掩膜研發(fā)項(xiàng)目

          •   先進(jìn)掩膜技術(shù)中心(AMTC)、半導(dǎo)體設(shè)備供貨商Vistec和德國(guó)國(guó)家物理技術(shù)研究院(PTB)將共同完成研發(fā)下一代芯片生產(chǎn)技術(shù)和量測(cè)流程的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目。   德國(guó)教育部對(duì)此代號(hào)為“CDuR32 (32nm掩膜光刻技術(shù)的核心演習(xí)和使用) ”的研發(fā)項(xiàng)目提供了部分資助。該項(xiàng)目的總預(yù)算資金為16.7百萬(wàn)歐元(約24.3百萬(wàn)),其中德國(guó)政府資助了7.9百萬(wàn)歐元。   該項(xiàng)目預(yù)計(jì)為期2.5年,旨在研發(fā)掩膜技術(shù)以用于今后其Dresden晶圓廠32nm存儲(chǔ)芯片和22nm微處理器的生產(chǎn)。AMTC由
          • 關(guān)鍵字: 掩膜  AMTC  半導(dǎo)體  PTB  

          EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

          •   對(duì)于極紫外(EUV)光刻技術(shù)而言,掩膜版相關(guān)的一系列問(wèn)題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝,而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問(wèn)題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對(duì)于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開(kāi)的表面預(yù)處理和清洗會(huì)議上,針對(duì)EUV掩膜版清洗方面遇到的問(wèn)題和挑戰(zhàn),Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開(kāi)了一次內(nèi)部討論,并在會(huì)上向與會(huì)的同仁報(bào)告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
          • 關(guān)鍵字: 光刻  EUV  掩膜  CMOS  

          MCU 中輸入/輸出口的使用

          • 本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
          • 關(guān)鍵字: 掩膜  CMOS  電阻  
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          掩膜介紹

            MASK(掩膜):?jiǎn)纹瑱C(jī)掩膜是指程序數(shù)據(jù)已經(jīng)做成光刻版,在單片機(jī)生產(chǎn)的過(guò)程中把程序做進(jìn)去。優(yōu)點(diǎn)是:程序可靠、成本低。缺點(diǎn):批量要求大,每次修改程序就需要重新做光刻板,不同程序不能同時(shí)生產(chǎn),供貨周期長(zhǎng)。   在半導(dǎo)體制造中,許多芯片工藝步驟采用光刻技術(shù),用于這些步驟的圖形“底片”稱為掩膜(也稱作“掩?!保?,其作用是:在硅片上選定的區(qū)域中對(duì)一個(gè)不透明的圖形模板掩膜,繼而下面的腐蝕或擴(kuò)散將只影響選 [ 查看詳細(xì) ]

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