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效應(yīng)
效應(yīng) 文章 進(jìn)入效應(yīng)技術(shù)社區(qū)
DNA場(chǎng)效應(yīng)管傳感器的分子設(shè)計(jì)
- 摘 要 為滿足臨床醫(yī)學(xué)基因診斷的需要,本研究以場(chǎng)效應(yīng)管為基體傳感器,并在柵區(qū)構(gòu)建單鏈核苷酸敏感柵,實(shí)現(xiàn)對(duì)目的基因快速、定點(diǎn)、在體檢測(cè)。本文介紹了DNA場(chǎng)效應(yīng)管傳感器的敏感機(jī)理和定量依據(jù),并就傳感器結(jié)構(gòu)、自
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 分子 傳感器 效應(yīng) DNA
一種基于SOA的XGM效應(yīng)構(gòu)成XOR光邏輯門實(shí)現(xiàn)光標(biāo)記交
- 提出了一種基于半導(dǎo)體光放大器(SOA)的交叉增益調(diào)制(XGM)效應(yīng)構(gòu)成異或(XOR)光邏輯門實(shí)現(xiàn)光標(biāo)記交換的方法,并將該方法應(yīng)用于載荷采用DPSK調(diào)制/光標(biāo)記采用ASK調(diào)制的正交調(diào)制光標(biāo)記交換系統(tǒng)中,以此來(lái)驗(yàn)證其可行性。通過(guò)仿真,在載荷信息速率為10Gbit/s,標(biāo)記信息速率為2.5Gbit/s的非歸零碼DPSK/ASK正交調(diào)制光標(biāo)記交換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了標(biāo)記交換。
- 關(guān)鍵字: SOA XGM XOR 效應(yīng)
開(kāi)關(guān)電源中線圈的鄰近效應(yīng)的研究
- 在開(kāi)關(guān)電源電磁元件中,一般不可能沒(méi)有線圈。線圈中的可變磁場(chǎng)感應(yīng)產(chǎn)生了渦流,從而導(dǎo)致了集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)。集膚效應(yīng)是由繞線的自感產(chǎn)生的渦流引起的,而鄰近效應(yīng)是由繞線的互感產(chǎn)生的渦流引起的。集膚效應(yīng)使電流
- 關(guān)鍵字: 研究 效應(yīng) 鄰近 中線 開(kāi)關(guān)電源
衛(wèi)星外部電磁環(huán)境效應(yīng)控制分析
- 衛(wèi)星在運(yùn)行過(guò)程中,不管是發(fā)射狀態(tài),還是在軌運(yùn)行狀態(tài),都會(huì)在其外部產(chǎn)生一個(gè)復(fù)雜的電磁環(huán)境,該電磁環(huán)境既包括由衛(wèi)星大功率發(fā)射機(jī)產(chǎn)生的有意強(qiáng)電場(chǎng)分布,也包括其它設(shè)備工作時(shí)所產(chǎn)生的無(wú)意電場(chǎng)分布,頻譜分布通常從
- 關(guān)鍵字: 衛(wèi)星 電磁環(huán)境 分析 效應(yīng)
電池的認(rèn)識(shí)記憶效應(yīng)
- 21ic電源:電池的認(rèn)識(shí)記憶效應(yīng)電池記憶效應(yīng)是指電池的可逆失效,即電池失效后可重新回復(fù)的性能.記憶效應(yīng)是指電池長(zhǎng)時(shí)間經(jīng)受特定的工作循環(huán)后,自動(dòng)保持這一特定的傾向.這個(gè)最早定義在鎳鎘電池,鎳鎘的袋式電池不存在記憶
- 關(guān)鍵字: 效應(yīng) 記憶 認(rèn)識(shí) 電池
LED基礎(chǔ)知識(shí)之集膚效應(yīng)
- 大家在做LED測(cè)試時(shí)應(yīng)該會(huì)發(fā)現(xiàn)當(dāng)以高頻電流驅(qū)動(dòng)器,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)燒黑現(xiàn)象,最終導(dǎo)致死燈。具體表現(xiàn)在金線周圍膠體因持續(xù)高溫下硅膠碳化燒黑,這是由于高頻下阻抗遠(yuǎn)高于直流阻抗,阻抗的升高使金線發(fā)熱更加嚴(yán)重使膠體燒黑
- 關(guān)鍵字: 效應(yīng) 基礎(chǔ)知識(shí) LED
效應(yīng)介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條效應(yīng)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)效應(yīng)的理解,并與今后在此搜索效應(yīng)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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