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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 數(shù)據(jù)表

          封裝設(shè)計(jì)解惑:如何使用數(shù)據(jù)表中的穩(wěn)態(tài)熱特性參數(shù)

          • 在使用數(shù)據(jù)表中的熱特性參數(shù)時(shí),如何做出設(shè)計(jì)決策經(jīng)常存在一定的誤區(qū)。本文將幫助您了解如何解讀數(shù)據(jù)表中的熱參數(shù):包括如何選擇 θ 與 ψ 及其計(jì)算,以及如何以實(shí)用的方式將其應(yīng)用于設(shè)計(jì),這里我們將重點(diǎn)討論在穩(wěn)態(tài)工作條件下的情況。定義環(huán)境溫度 TA所有熱量最終到達(dá)的環(huán)境的溫度,環(huán)境在熱意義上“遠(yuǎn)離”器件。外殼溫度 TC?器件外部“殼體”上代表點(diǎn)的溫度;使用任何基于此值的參數(shù)時(shí),代表點(diǎn)的位置必須明確定義。結(jié)溫 TJ??半導(dǎo)體器件內(nèi)部最熱點(diǎn)的溫度。ψ-JT熱特性參數(shù),在結(jié)至外殼頂部 (T
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          解密模塊數(shù)據(jù)表 C 尺寸大小

          • 相信大多數(shù)人很多時(shí)候在還未讀完“條款和適用條件”的時(shí)候就點(diǎn)擊了“同意”。既然如此,為何要花費(fèi)這么多時(shí)間去閱讀那些繁冗的條文呢?同任何重要的文件
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          教你快速掌握分別刪除數(shù)據(jù)表記錄的方法

          • 很多情況下我們需要分別刪除數(shù)據(jù)表的一些記錄,分批來提交以此來減少對(duì)于Undo的使用,下面我們提供一個(gè)簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)過程來實(shí)現(xiàn)此邏輯。
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          功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

          • 本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)?! ?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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          深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

          • 本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)。  數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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          數(shù)據(jù)表介紹

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