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新內(nèi)存文章進入新內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

新內(nèi)存芯片材料實現(xiàn)速度高于閃存千倍

　　北京時間12月12日消息，據(jù)國外媒體報道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢達(Qimonda)等企業(yè)組成的研發(fā)團隊近日表示，已開發(fā)出能制造高速“相變(phase-change)”內(nèi)存的材料；與當前常用的閃存相比，相變內(nèi)存運行速度高于前者500~1000倍，能耗也將大幅度降低。　　據(jù)悉該新型材料為復(fù)合半導(dǎo)體合金。IBM納米科學(xué)部門資深經(jīng)理斯派克
關(guān)鍵字：閃存通訊網(wǎng)絡(luò) 無線消費電子芯片材料新內(nèi)存存儲器消費電子

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新內(nèi)存介紹

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