- 引言 為了讓現(xiàn)今的無線蜂窩網(wǎng)絡滿足日益增長的無線數(shù)據(jù)處理需求，全球加速向LTE/4G遷移的趨勢已經(jīng)日益明顯。LTE或3.9G通過采用更有效的傳輸技術來提升數(shù)據(jù)速率，下一步，4G要提升到更高數(shù)據(jù)率，LTE、4G基礎設施給
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無線 處理 需求 滿足 架構 LTE/4G 新型 處理器 基于
- 1 溫度傳感器DS18B20介紹DALLAS公司單線數(shù)字溫度傳感器DS18B20是一種新的“一線器件”，它具有體積小、適用電壓寬等特點。一線總線獨特而且經(jīng)濟的特點，使用戶可輕松地組建傳感器網(wǎng)絡，為測量系統(tǒng)的構建引
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設計 系統(tǒng) 測溫 新型
- 摘要：本文對新的HELP技術與開關調(diào)節(jié)器在3G手機中的應用作分析，并以新型芯片應用為例作說明?！ ? 問題呈現(xiàn)與面對 當今已是第三代移動通信(3G)時代，手機設計人員正忙于開發(fā)新的方案，以解決具有wcb瀏覽、無線
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3G 手機 應用 調(diào)節(jié)器 開關 HELP 技術 新型
- 中心議題
*基于STC89C516RD單片機的新型冰箱溫控器系統(tǒng)設計
解決方案
*以STC89C516RD單片機為控制核心
*通過液晶顯示當前時間以及由溫度傳感器采集到的冷藏室、冷凍室以及室外溫度隨著對電冰箱在節(jié)
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溫控器 系統(tǒng) 冰箱 新型 STC89C516RD 單片機 基于
- 想要電池使用壽命更加長久的特定性要求讓我們不斷地追求各種各樣的概念設計以滿足我們?nèi)找嬖鲩L的各種需要。所以在改善提升電池性能上面的工作主要集中在：續(xù)航能力跟使用壽命兩個方面。下面是10種比較不錯的電池概念
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多圖 概念設計 電池 新型
- 在優(yōu)化的電源方案設計時要考慮五個因素：即效率、方案大小、易用性、性能及散熱性。效率是應用同步開關穩(wěn)壓器與多輸出穩(wěn)壓器；方案大小是指線性穩(wěn)壓器、開關電容器穩(wěn)壓器、高集成度開關穩(wěn)壓器及多輸出穩(wěn)壓器；而易用性是指線性穩(wěn)壓器、SIMPLESWITCHER與高集成度開關穩(wěn)壓器；性能是指大電流控制器、高集成度開關穩(wěn)壓器與多輸出穩(wěn)壓器；散熱性是指散熱管理IC。
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電源 系統(tǒng) 新型 數(shù)據(jù)通信 語音 通信 適用于
- 摘要：在電路設計中，數(shù)字信號的隔離傳輸電路是比較常用電路之一，一般的磁耦合隔離電路只適合于傳輸高頻信號，對于低頻或直流信號劃無能為力。為了實現(xiàn)磁耦合隔離電路傳輸?shù)皖l信號的功能，用一串窄脈沖代表數(shù)字信號
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電路設計 隔離 耦合 新型
- 今天的直流電源市場劃分得越來越細，它們分為通用型、高電壓型和高電流型，我們可在近乎無限的多品種型號當中進行選擇，現(xiàn)在電源的功能越來越強大，例如一些電源具有任意波形功能，還有一些電源帶有電子負載以及可進
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應用 特點 電源 全能 新型
- 摘要：提出了一種新型的低壓帶隙基準源，與傳統(tǒng)的帶隙基準不同，該電路引入了第三個電流，以消除雙極型晶體管射基電壓的溫度非線性項，從而實現(xiàn)曲率補償。采用0．18mu;m CMOS工藝進行設計驗證，HSpice仿真結果表明，
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補償 基準 曲率 模式 電流 新型
- 摘要：介紹智能小車自動完成設定任務的設計。本設計以玩具小坦克為車體，以單片機AT89S52為核心，利用黑白線傳感器判斷小車行駛的軌跡；利用金屬傳感器判斷軌跡中放置的鐵片；由單片機對小車狀態(tài)做出實時反應，并輸出
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設計 應用 小車 智能 多功能 新型
- 摘要：針對目前的電源普遍存在輸出恒定、精度較差的問題，設計了一種基于單片機的新型數(shù)控直流電源。主要分為電源模塊，單片機控制模塊，數(shù)碼管、按鍵模塊和PWM波輸出驅(qū)動模塊這4部分。首先通過鍵盤輸入預期的電壓值
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直流電源 設計 數(shù)控 新型 ATC51 基于
- 為了簡化從電池或USB電纜吸取功率的工作，凌力爾特公司提供了多款器件。這些器件可對AC適配器、USB 電纜和鋰離子電池之間的功率流進行無縫管理，并維持與USB電源規(guī)范的相符性。當電池容量增加時，電池充電器必須通過
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解決方案 電源 USB 新型
- 1 推挽正激電路工作原理
在分析推挽正激電路工作模態(tài)前，做如下設定：
1）[t1－t2] 在t1之前V1及V2都是關斷的，輸入電流沿電源正極rarr;Tp2rarr;Crarr;Tp1rarr;電源負極回路環(huán)流工作，環(huán)流為
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研制 變換器 直流 新型 2kW
- 摘要：文中針對高壓節(jié)能應用領域，開發(fā)了一種基于超薄外延技術的雙擴散BCD兼容工藝，實現(xiàn)了一種新型D-RESURF結構的700V LDMOS設計。結構中N型外延的厚度減小為4．5mu;m，漂移區(qū)長度縮減至70mu;m，使得芯片面積和制
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D-RESURF LDMOS 設計 新型 擴散 超薄 外延 技術 基于
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