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          新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期

          • 8月13日,新潔能發(fā)布公告稱,擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響,項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響,無法在計劃時間內完成。據(jù)悉,此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目,項目總投資約2.23億元,2022年開建,原計劃2024年建設完成。項目建成后,將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱,本次募投項目延期僅涉及項目進度的
          • 關鍵字: 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測  
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