- 習近平考察武漢，強調(diào)要充分發(fā)揮人才優(yōu)勢
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- SEMICONTaiwan2016將于7日開幕，受惠臺積電持續(xù)投資先進制程，臺灣仍是蟬聯(lián)全球設備采購第一名，值得注意的是，大陸2016年大陸采購金額達44.38億美元，年增率高達68%，推測受惠聯(lián)電廈門廠、中芯國際北京廠、英特爾(Intel)大連廠、三星西安廠、武漢新芯五大半導體廠擴產(chǎn)所致。
根據(jù)SEMI估計，全球半導體設備采購金額約219.96億美元，年減2%，其中臺灣2016年的設備采購金額高達55.42億美元，年增率3.9%，主要是臺積電領先布局先進制程的貢獻。值得注意的是，大陸2016年
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中芯國際 新芯
- 近期盛傳紫光集團入股武漢新芯，雙方旗下存儲晶元項目有望合并，中國第一"芯"誕生。
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紫光 新芯
- 先前科技新報獨家揭露，統(tǒng)籌中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作，并有望獲得美光在 NAND Flash 的協(xié)助，現(xiàn)在事情再有新進展，根據(jù)調(diào)研機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 說法，紫光將于武漢成立新企業(yè)，未來武漢新芯將并入旗下，據(jù)科技新報取得的消息，最終由紫光集團董事長趙偉國將出線掌舵新事業(yè)。
朝 NAND Flash 發(fā)展前進
調(diào)研機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 今 27 日發(fā)布消息指出，紫光集團預計于武漢成立長江存儲科技
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- 外媒報導，中國IC設計龍頭紫光集團已完成武漢新芯集成電路制造有限公司(武漢新芯)超過50%的股權收購。這意味著，中國半導體的兩大「國家隊」聯(lián)手進軍NAND Flash記憶體領域的計畫即將實現(xiàn)，紫光集團董事長趙偉國也將擔任合并后公司的總裁。
報導稱，紫光日前投資120多億美元興建1家新的記憶體晶片廠，以及進行半導體業(yè)務并購，不過紫光在海外的并購屢踢鐵板。本月初，有消息傳出，紫光將聯(lián)手武漢新芯大舉進軍NAND Flash記憶體領域，且可能獲得大廠美光(Micron)的技術授權，采取「華亞科」模式，可
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- 北京時間7月26日晚間消息，《華爾街日報》今日援引知情人士的消息稱，中國建造先進存儲芯片工廠的兩大主要項目已進行了合并。此舉旨在打造實力更強的大型企業(yè)，從而縮小與西方國家之間的技術差距。
據(jù)四位知情人士稱，紫光集團(Tsinghua Unigroup)已收購武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC，以下簡稱“武漢新芯”)多數(shù)股權。之前，武漢新芯曾打造規(guī)模為240億美元的存儲芯片制造中心。
今年3月28日，總投資240億美元(約1600億元人民幣)的存儲器基地項目在武漢東
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- 清華紫光集團有意拉武漢新芯，搶進NAND Flash市場，采取類似美光與臺DRAM大廠華亞科的合作模式，如此一來，紫光也可搭上武漢新芯構建新廠的列車，并且與美光洽談技術授權，加速紫光集團發(fā)展壯大的時間。
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- 外媒傳武漢新芯將與紫光集團攜手，并有望獲得美光(Micron)的支持，雙方如果能夠成功整合，在資金資源、技術力量與市場容量方面，新企業(yè)都有巨大的想象空間，有媒體稱“中國存儲器有望復制面板產(chǎn)業(yè)的成功，在技術更新交替的階段，彎道超車趕上國際一線廠商。”
在存儲領域，無論是武漢新芯還是紫光集團，都已經(jīng)布局了很長時間。相對而言，紫光聲勢更大，武漢新芯步子更快。2015年曾傳出紫光收購美光的新聞，但是最后不了了之;此后紫光宣布入股西部數(shù)據(jù)，從而促成了西部數(shù)據(jù)收購閃迪的交易;之后紫光
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- 外媒傳武漢新芯將與紫光集團攜手合作，不只獲得飛索半導體(Spansion)在3D NAND Flash的技術授權，更有望獲得美光(Micron)的支持。中國存儲器芯片有望復制面板產(chǎn)業(yè)的成功，在技術更新交替的階段，彎道超車趕上國際一線廠商。
3月28日，武漢新芯在武漢市東湖高新區(qū)啟動了總投資240億美元的“光谷”存儲器基地，該基地預計2018年將實現(xiàn)3D NAND存儲器的首次量產(chǎn)，并于2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，其中20萬片3D NAND Flash和10萬片D
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- 5月23日，李克強總理視察武漢新芯，參觀了公司的晶圓廠，并和武漢新芯的管理和研發(fā)團隊親切交談。他說，在集成電路領域，管理和研發(fā)這兩塊最難也最重要，希望武漢新芯摸索出好的管理經(jīng)驗，制造出高性能、高質(zhì)量的自主可控的芯片。
下午6:40分左右，李克強總理到達武漢新芯，并在董事長王繼增和執(zhí)行長楊士寧博士的陪同下，直接前往晶圓廠參觀。
楊士寧博士向總理匯報了武漢新芯的技術研發(fā)和業(yè)務布局情況。他介紹，武漢新芯現(xiàn)有業(yè)務布局物聯(lián)網(wǎng)領域。目前，公司45nmNORFlash(代碼型閃存)生產(chǎn)技術水平世界領先，
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- 紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。
巴 倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術授權。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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- 自從國家發(fā)布集成電路扶植政策，做存儲器風起云涌。
武漢新芯要做，紫光趙偉國要做，合肥希望借助爾必達前CEO要做，廈門借助爾必達前CTO也要做，最新消息福建泉州要和聯(lián)電一起投資DRAM工廠。
算上三星在西安、Intel在大連的投資，猜得不錯，不出幾年，大陸會成為全球存儲器產(chǎn)業(yè)的熱點。
看似風光的表面，其實隱藏的風險很大，因為大陸的底子實在太薄，要技術沒技術，要人才沒人才，當然要錢的話，有很多。
就目前形式來看，老杳相對看好兩家，新芯和紫光，紫光由于體制關系，趙偉國有更多的疼轉挪移
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- 前天，武漢集成電路技術及產(chǎn)業(yè)服務中心(簡稱“武漢ICC”)成立及啟動儀式上，武漢新芯集成電路制造有限公司董事長王繼增接受了記者的專訪。這也是3月28日國家存儲器基地在武漢光谷正式開工以來，王繼增首次在公眾場合亮相，該基地計劃未來5年投資240億美元。
“記錄生活點點滴滴，不用擔心存儲器不夠用”
記者與王繼增的對話，從武漢新芯的產(chǎn)品對民生的影響說起。“利用芯片疊加技術，制造多層的三維立體存儲器，將是現(xiàn)在乃至未來的主流產(chǎn)品。&rdqu
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- 大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。
據(jù)韓聯(lián)社報導，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠。地方政府已從投資機構湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。
韓聯(lián)社引述EE Times
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- 國內(nèi)發(fā)展半導體不差錢也不怕市場不夠，但技術和人才是繞不過去的兩個坎，現(xiàn)在也引起了海外投資及國內(nèi)自主兩大派系的興趣。
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