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          為何晶振并聯(lián)一個1MΩ電阻?晶振低溫不起振如何解決?

          • 無源晶振并聯(lián)一個1MΩ電阻電路圖問題描述:在一些方案中,晶振并聯(lián)1MΩ電阻時,程序運(yùn)行正常,而在沒有1MΩ電阻的情況下,程序運(yùn)行有滯后及無法運(yùn)行現(xiàn)象發(fā)生。原因分析:在無源晶振應(yīng)用方案中,兩個外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此,當(dāng)發(fā)生程序啟動慢或不運(yùn)行時,建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。這個1MΩ電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū), 以獲得增益, 在飽和區(qū)不存在增益, 而在沒有增益的條件下晶振不起振。簡而言之,并聯(lián)1M電阻增加了電路中的負(fù)性阻抗(-R),即提升
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          二極管選型指南

          • 1正向?qū)▔航祲航担憾O管的電流流過負(fù)載以后相對于同一參考點的電勢(電位)變化稱為電壓降,簡稱壓降。導(dǎo)通壓降:二極管開始導(dǎo)通時對應(yīng)的電壓。正向特性:在二極管外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零。當(dāng)正向電壓大到足以克服PN結(jié)電場時,二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。反向特性:外加反向電壓不超過一定范圍時,通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動所形成反向電流。由于反向電流很小,二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。反向電壓增大到一定程度后,二極管反向擊穿。
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          單片機(jī)晶振為什么不起振?

          • 雖然現(xiàn)在嵌入式的應(yīng)用非常多,但是單片機(jī)的應(yīng)用也還有非常多的應(yīng)用之處。尤其是一些成本要求非常高的地方。本文將就常見的晶振問題加以說明和介紹。單片機(jī)晶振不起振原因分析遇到單片機(jī)晶振不起振是常見現(xiàn)象,那么引起晶振不起振的原因有哪些呢?(1) PCB板布線錯誤;(2) 單片機(jī)質(zhì)量有問題;(3) 晶振質(zhì)量有問題;(4) 負(fù)載電容或匹配電容與晶振不匹配或者電容質(zhì)量有問題;(5) PCB板受潮,導(dǎo)致阻抗失配而不能起振;(6) 晶振電路的走線過長;(7) 晶振兩腳之間有走線;(8) 外圍電路的影響。解決方案,建議按如下方
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          濾波電容怎么選?選多大容值?

          • 電源濾波電容如何選取,掌握其精髓與方法,其實也不難。理論上理想的電容其阻抗隨頻率的增加而減少(1/jwc),,但由于電容兩端引腳的電感效應(yīng),這時電容應(yīng)該看成是一個LC串連諧振電路,自諧振頻率即器件的FSR參數(shù),這表示頻率大于Fsr(串聯(lián)諧振頻率)值時,電容變成了一個電感(頻率超過Fsr電容此時呈感性),如果電容對地濾波,當(dāng)頻率超出Fsr后,對干擾的抑制就大打折扣,所以需要一個較小的電容并聯(lián)對地,可以想想為什么?電容器,高頻等效模型原因在于小電容,F(xiàn)sr值大,對高頻信號提供了一個對地通路,所以在電源濾波電路
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          高性能計算市場大漲,不起眼的元器件價值量提升8倍

          • 隨著高性能計算(HPC)系統(tǒng),特別是 AI 服務(wù)器的市場規(guī)模不斷擴(kuò)大,其核心處理器,包括 CPU、GPU、NPU、ASIC、FPGA 等,以及內(nèi)存、網(wǎng)絡(luò)通信等芯片元器件的性能和功耗水平都在提升。隨著性能提升,功率管理水平的提升顯得更加重要,因為 HPC 系統(tǒng),特別是 AI 服務(wù)器的耗電量越來越大,對整個系統(tǒng),以及主要芯片的功率管理能力提出了更高要求。在 AI 服務(wù)器中,CPU 需要供電,GPU 板卡需要供電,內(nèi)存(DDR4、DDR5、HBM)需要供電,各種接口也需要供電。此時,電源管理系統(tǒng)就顯得非常重要了
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          MOS管基礎(chǔ)及選型指南

          • MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢,在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。▉ 場效應(yīng)管分類場效應(yīng)管分為結(jié)型(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型(MOSFET)兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor,也
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          如何區(qū)分有源晶振與無源晶振

          • 我們知道,電子線路中的晶體振蕩器分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振的英文名稱不同,無源晶振為crystal(晶體),而有源晶振則叫做oscillator(振蕩器)。無源晶振 有源晶振一、無源晶振無源晶振一般有兩個引腳,無極性。它自身無法震蕩起來,一般外部都接有兩個10-22PF的瓷片電容。無源晶振參考電路無源晶振信號質(zhì)量較差,通常需要精確匹配外圍電路(用于信號匹配的電容、電感、電阻等),更換不同頻率的晶體時周邊配置電路也需要做相應(yīng)的調(diào)整。一般建議采用精度較高的石英晶體,盡可能不要采用精度低
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          浪涌保護(hù)器件介紹

          • 壓敏電阻、氣體放電管、TVS管(瞬間抑制二極管)三種器件都限壓型的浪涌保護(hù)器件,都被用來在電路中用作浪涌保護(hù),那么他們有什么之間有什么差異呢?壓敏電阻壓敏電阻的響應(yīng)時間為ns級,比氣體放電管快,比TVS管稍慢一些,一般情況下用于電子電路的過電壓保護(hù)其響應(yīng)速度可以滿足要求。壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千PF的數(shù)量級范圍,很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號線路的保護(hù)中,應(yīng)用在交流電路的保護(hù)中時,因為其結(jié)電容較大會增加漏電流,在設(shè)計防護(hù)電路時需要充分考慮。TVS管TVS和齊納穩(wěn)壓管都能用作穩(wěn)壓,但是齊納擊穿電流
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          三極管電路,分析有方法

          • 三極管有靜態(tài)和動態(tài)兩種工作狀態(tài)。未加信號時三極管的直流工作狀態(tài)稱為靜態(tài),此時各極電流稱為靜態(tài)電流,給三極管加入交流信號之后的工作電流稱為動態(tài)工作電流,這時三極管是交流工作狀態(tài),即動態(tài)。一個完整的三極管電路分析有四步:直流電路分析、交流電路分析、元器件和修理識圖。01 直流電路分析方法直流工作電壓加到三極管各個電極上主要通過兩條直流電路:一是三極管集電極與發(fā)射極之間的直流電路,二是基極直流電路。通過這一步分析可以搞清楚直流工作電壓是如何加到集電極、基極和發(fā)射極上的。如圖所示,是放大器直流電路分析示
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          二極管導(dǎo)通AB兩端的控制條件藏在A中,而三極管卻是藏在C中。

          • 1.單向開關(guān)二極管,連接AB兩端的管子。像一個開關(guān),閉合導(dǎo)通,斷開分離。二極管中的PN結(jié)充當(dāng)開關(guān)的閥門。AB兩端的壓差超過0.7V時,開關(guān)打開,管子導(dǎo)通。值得注意的是,二極管導(dǎo)通AB兩端的控制條件藏在A中,而三極管卻是藏在C中。對器件爛熟于于心,最好的方式莫過于搞懂他的曲線,這,是他的一生!下圖清晰地呈現(xiàn)了二極管的閉合條件:超過閾值電壓0.7V,兩極的電流陡然增加,通了!同時,也呈現(xiàn)了損壞條件:給足反向電壓,同樣會使PN結(jié)導(dǎo)通(反向?qū)ǎ?,對普通二極管而言,這是一種不可逆轉(zhuǎn)的破壞。正向?qū)?,稱為正偏,此時
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          解析三極管的電阻位置

          • 三極管用作開關(guān)時的常見電阻配置,如下圖所示。本文嘗試解析為何這些電阻要放置在這個位置,而不是那個位置。在其位,謀其職。電阻R11)產(chǎn)生基級電流Ib【三極管是流控型器件】流控在于,其輸出電流IC和IB具有關(guān)系IC=β*IB2)限流【串聯(lián)電阻的主要作用就是限流】電阻R31)跟R1組合形成基級分壓回路,用于產(chǎn)生開啟電壓(比5V小,有些管子耐受電壓較?。?)提供一個電壓泄放回路(如果VDD的5V有浪涌的話)電阻R41)產(chǎn)生發(fā)射級電流IC2)限流進(jìn)一步,為什么R4要放在三極管上面,也就是C級,而不是E級?看一張圖,
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          X-FAB最新的無源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力

          • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,新增集成無源器件(IPD)制造能力,進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻(RF)領(lǐng)域的廣泛實力。公司在歐洲微波展(9月17至22日,柏林)舉辦前夕推出XIPD工藝;參加此次活動的人員可與X-FAB技術(shù)人員(位于438C展位)就這一創(chuàng)新進(jìn)行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結(jié)構(gòu)XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層,讓客戶能夠在其器
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          使用微型模塊SIP中的集成無源器件

          •   簡介  集成無源器件在我們的行業(yè)中并不是什么新事物——它們由來已久且眾所周知。實際上,ADI公司過去曾為市場生產(chǎn)過這類元件。當(dāng)芯片組將獨(dú)立的分立無源器件或者是集成無源網(wǎng)絡(luò)作為其一部分包含在內(nèi)時,需要對走線寄生效應(yīng)、器件兼容性和電路板組裝等考慮因素進(jìn)行仔細(xì)的設(shè)計管理。雖然集成無源器件繼續(xù)在業(yè)界占據(jù)重要地位,但只有當(dāng)它們被集成到系統(tǒng)級封裝應(yīng)用中時才能實現(xiàn)其最重要的價值?! 啄昵?,ADI開始推出新的集成無源技術(shù)計劃(iPassives?)。ADI旨在通過這項計劃提供二極管、電阻、電感和電容等無源元件,從而
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          無源器件在低頻電路和高頻電路種的特性分析

          •   我們先來說說電容,都說大電容低頻特性好,小電容高頻特性好,那么根據(jù)容抗的大小與電容C及頻率F成反比來說的話,是不是大電容不僅低頻特性好,高頻特性更好呢,因為頻率越高,容量越大,容抗就越低,高頻就是否越容易通過大電容呢,但從大電容充放電的速度慢來說的話,高頻好像又不容易通過的,這不很矛盾嗎?  首先,高頻低頻是相對的。如果頻率太高,那么,電容的容量變得再大也沒有意義,因為,大家知道,線圈是電感,是阻高頻的,頻率越高,阻礙作用越大。盡管電感量很小,但是,大容量電容一般都有較長的引腳和較大的極板圈在一起,這
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          中國電子展帶你分析被動元(無源)器件淡季不淡的原因

          •   從去年2月份至今,已經(jīng)有至少四家被動件原廠相繼漲價,漲價背后的深層原因是什么?重壓之下采購的日子怎么過?今天我們一起來探討。  2017年以存儲芯片、被動元器件、功率器件為主的缺貨漲價對電子產(chǎn)業(yè)鏈上下游供需市場帶來超乎以往的影響。從市場反應(yīng)的缺貨情況看,存儲芯片DRAM、NAND Flash、NOR Flash三類產(chǎn)品無一例外。被動元器件集中在MLCC、鉭電容、鋁電解電容的漲價或缺貨,功率器件以MOSFET、IGBT、IPM等為主其他的還有MCU、電源IC等?! ∫员粍釉槔?。被
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          無源器件介紹

            無源器件   在不需要外加電源的條件下,就可以顯示其特性的電子元件。無源元件主要是電阻類、電感類和電容   無源器件類器件,它的共同特點是在電路中無需加電源即可在有信號時工作。   電阻   電流通過導(dǎo)體時,導(dǎo)體內(nèi)阻阻礙電流的性質(zhì)稱為電阻。在電路中起阻流作用的元器件稱為電阻器,簡稱電阻。電阻器的主要用途是降壓、分壓或分流,在一些特殊電路中用作負(fù)載、反饋、耦合、隔離等。   電阻在電路 [ 查看詳細(xì) ]

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