無源器件 文章 進(jìn)入無源器件技術(shù)社區(qū)
恒流二極管是什么鬼？
- 01恒流二極管二極管是一種有極性的兩端電子元件，它在單個(gè)方向上傳導(dǎo)電流并阻止電流在另一個(gè)方向上流動(dòng)，因?yàn)樵谝粋€(gè)方向上，它的電阻理想地為零，而在另一個(gè)方向上它是無限的。這些組件包括兩個(gè)端子，一個(gè)陽極和一個(gè)陰極。根據(jù) PN 結(jié)二極管、齊納二極管、恒流二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管等要求，可以在各種電氣和電子項(xiàng)目中使用不同種類的二極管。本文下面討論了其中一種二極管恒流二極管及其應(yīng)用。一、什么是恒流二極管？用于將電流限制或改變到設(shè)備最高值的二極管稱為恒流二極管或CCD。該二極管也稱為電流調(diào)節(jié)二極管或 CRD 和
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為何晶振并聯(lián)一個(gè)1MΩ電阻？晶振低溫不起振如何解決？
- 無源晶振并聯(lián)一個(gè)1MΩ電阻電路圖問題描述：在一些方案中，晶振并聯(lián)1MΩ電阻時(shí)，程序運(yùn)行正常，而在沒有1MΩ電阻的情況下，程序運(yùn)行有滯后及無法運(yùn)行現(xiàn)象發(fā)生。原因分析：在無源晶振應(yīng)用方案中，兩個(gè)外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時(shí)鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此，當(dāng)發(fā)生程序啟動(dòng)慢或不運(yùn)行時(shí)，建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。這個(gè)1MΩ電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū), 以獲得增益, 在飽和區(qū)不存在增益, 而在沒有增益的條件下晶振不起振。簡(jiǎn)而言之，并聯(lián)1M電阻增加了電路中的負(fù)性阻抗（-R），即提升
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二極管選型指南
- 1正向?qū)▔航祲航担憾O管的電流流過負(fù)載以后相對(duì)于同一參考點(diǎn)的電勢(shì)（電位）變化稱為電壓降，簡(jiǎn)稱壓降。導(dǎo)通壓降：二極管開始導(dǎo)通時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓。正向特性：在二極管外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎為零。當(dāng)正向電壓大到足以克服PN結(jié)電場(chǎng)時(shí)，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。反向特性：外加反向電壓不超過一定范圍時(shí)，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。反向電壓增大到一定程度后，二極管反向擊穿。
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單片機(jī)晶振為什么不起振？
- 雖然現(xiàn)在嵌入式的應(yīng)用非常多，但是單片機(jī)的應(yīng)用也還有非常多的應(yīng)用之處。尤其是一些成本要求非常高的地方。本文將就常見的晶振問題加以說明和介紹。單片機(jī)晶振不起振原因分析遇到單片機(jī)晶振不起振是常見現(xiàn)象，那么引起晶振不起振的原因有哪些呢？(1) PCB板布線錯(cuò)誤；(2) 單片機(jī)質(zhì)量有問題；(3) 晶振質(zhì)量有問題；(4) 負(fù)載電容或匹配電容與晶振不匹配或者電容質(zhì)量有問題；(5) PCB板受潮，導(dǎo)致阻抗失配而不能起振；(6) 晶振電路的走線過長(zhǎng)；(7) 晶振兩腳之間有走線；(8) 外圍電路的影響。解決方案，建議按如下方
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濾波電容怎么選？選多大容值？
- 電源濾波電容如何選取,掌握其精髓與方法，其實(shí)也不難。理論上理想的電容其阻抗隨頻率的增加而減少(1/jwc)，,但由于電容兩端引腳的電感效應(yīng),這時(shí)電容應(yīng)該看成是一個(gè)LC串連諧振電路，自諧振頻率即器件的FSR參數(shù)，這表示頻率大于Fsr(串聯(lián)諧振頻率)值時(shí)，電容變成了一個(gè)電感（頻率超過Fsr電容此時(shí)呈感性）,如果電容對(duì)地濾波,當(dāng)頻率超出Fsr后，對(duì)干擾的抑制就大打折扣,所以需要一個(gè)較小的電容并聯(lián)對(duì)地,可以想想為什么？電容器，高頻等效模型原因在于小電容，F(xiàn)sr值大，對(duì)高頻信號(hào)提供了一個(gè)對(duì)地通路,所以在電源濾波電路
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高性能計(jì)算市場(chǎng)大漲，不起眼的元器件價(jià)值量提升8倍
- 隨著高性能計(jì)算（HPC）系統(tǒng)，特別是 AI 服務(wù)器的市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，其核心處理器，包括 CPU、GPU、NPU、ASIC、FPGA 等，以及內(nèi)存、網(wǎng)絡(luò)通信等芯片元器件的性能和功耗水平都在提升。隨著性能提升，功率管理水平的提升顯得更加重要，因?yàn)?HPC 系統(tǒng)，特別是 AI 服務(wù)器的耗電量越來越大，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)，以及主要芯片的功率管理能力提出了更高要求。在 AI 服務(wù)器中，CPU 需要供電，GPU 板卡需要供電，內(nèi)存（DDR4、DDR5、HBM）需要供電，各種接口也需要供電。此時(shí)，電源管理系統(tǒng)就顯得非常重要了
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MOS管基礎(chǔ)及選型指南
- MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì)，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。▉ 場(chǎng)效應(yīng)管分類場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型（MOSFET）兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor，也
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如何區(qū)分有源晶振與無源晶振
- 我們知道，電子線路中的晶體振蕩器分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振的英文名稱不同，無源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振蕩器）。無源晶振 有源晶振一、無源晶振無源晶振一般有兩個(gè)引腳，無極性。它自身無法震蕩起來，一般外部都接有兩個(gè)10-22PF的瓷片電容。無源晶振參考電路無源晶振信號(hào)質(zhì)量較差，通常需要精確匹配外圍電路（用于信號(hào)匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時(shí)周邊配置電路也需要做相應(yīng)的調(diào)整。一般建議采用精度較高的石英晶體，盡可能不要采用精度低
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浪涌保護(hù)器件介紹
- 壓敏電阻、氣體放電管、TVS管（瞬間抑制二極管）三種器件都限壓型的浪涌保護(hù)器件，都被用來在電路中用作浪涌保護(hù)，那么他們有什么之間有什么差異呢？壓敏電阻壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間為ns級(jí)，比氣體放電管快，比TVS管稍慢一些，一般情況下用于電子電路的過電壓保護(hù)其響應(yīng)速度可以滿足要求。壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千PF的數(shù)量級(jí)范圍，很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號(hào)線路的保護(hù)中，應(yīng)用在交流電路的保護(hù)中時(shí)，因?yàn)槠浣Y(jié)電容較大會(huì)增加漏電流，在設(shè)計(jì)防護(hù)電路時(shí)需要充分考慮。TVS管TVS和齊納穩(wěn)壓管都能用作穩(wěn)壓，但是齊納擊穿電流
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三極管電路，分析有方法
- 三極管有靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種工作狀態(tài)。未加信號(hào)時(shí)三極管的直流工作狀態(tài)稱為靜態(tài)，此時(shí)各極電流稱為靜態(tài)電流，給三極管加入交流信號(hào)之后的工作電流稱為動(dòng)態(tài)工作電流，這時(shí)三極管是交流工作狀態(tài)，即動(dòng)態(tài)。一個(gè)完整的三極管電路分析有四步：直流電路分析、交流電路分析、元器件和修理識(shí)圖。01 直流電路分析方法直流工作電壓加到三極管各個(gè)電極上主要通過兩條直流電路：一是三極管集電極與發(fā)射極之間的直流電路，二是基極直流電路。通過這一步分析可以搞清楚直流工作電壓是如何加到集電極、基極和發(fā)射極上的。如圖所示，是放大器直流電路分析示
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二極管導(dǎo)通AB兩端的控制條件藏在A中，而三極管卻是藏在C中。
- 1.單向開關(guān)二極管，連接AB兩端的管子。像一個(gè)開關(guān)，閉合導(dǎo)通，斷開分離。二極管中的PN結(jié)充當(dāng)開關(guān)的閥門。AB兩端的壓差超過0.7V時(shí)，開關(guān)打開，管子導(dǎo)通。值得注意的是，二極管導(dǎo)通AB兩端的控制條件藏在A中，而三極管卻是藏在C中。對(duì)器件爛熟于于心，最好的方式莫過于搞懂他的曲線，這，是他的一生！下圖清晰地呈現(xiàn)了二極管的閉合條件：超過閾值電壓0.7V，兩極的電流陡然增加，通了！同時(shí)，也呈現(xiàn)了損壞條件：給足反向電壓，同樣會(huì)使PN結(jié)導(dǎo)通（反向?qū)ǎ瑢?duì)普通二極管而言，這是一種不可逆轉(zhuǎn)的破壞。正向?qū)ǎQ為正偏，此時(shí)
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解析三極管的電阻位置
- 三極管用作開關(guān)時(shí)的常見電阻配置，如下圖所示。本文嘗試解析為何這些電阻要放置在這個(gè)位置，而不是那個(gè)位置。在其位，謀其職。電阻R11）產(chǎn)生基級(jí)電流Ib【三極管是流控型器件】流控在于，其輸出電流IC和IB具有關(guān)系IC=β*IB2）限流【串聯(lián)電阻的主要作用就是限流】電阻R31）跟R1組合形成基級(jí)分壓回路，用于產(chǎn)生開啟電壓（比5V小，有些管子耐受電壓較?。?）提供一個(gè)電壓泄放回路（如果VDD的5V有浪涌的話）電阻R41）產(chǎn)生發(fā)射級(jí)電流IC2）限流進(jìn)一步，為什么R4要放在三極管上面，也就是C級(jí)，而不是E級(jí)？看一張圖，
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X-FAB最新的無源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進(jìn)行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測(cè)試結(jié)構(gòu)XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
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使用微型模塊SIP中的集成無源器件
- 簡(jiǎn)介 集成無源器件在我們的行業(yè)中并不是什么新事物——它們由來已久且眾所周知。實(shí)際上，ADI公司過去曾為市場(chǎng)生產(chǎn)過這類元件。當(dāng)芯片組將獨(dú)立的分立無源器件或者是集成無源網(wǎng)絡(luò)作為其一部分包含在內(nèi)時(shí)，需要對(duì)走線寄生效應(yīng)、器件兼容性和電路板組裝等考慮因素進(jìn)行仔細(xì)的設(shè)計(jì)管理。雖然集成無源器件繼續(xù)在業(yè)界占據(jù)重要地位，但只有當(dāng)它們被集成到系統(tǒng)級(jí)封裝應(yīng)用中時(shí)才能實(shí)現(xiàn)其最重要的價(jià)值?！ 啄昵?，ADI開始推出新的集成無源技術(shù)計(jì)劃(iPassives?)。ADI旨在通過這項(xiàng)計(jì)劃提供二極管、電阻、電感和電容等無源元件，從而
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無源器件在低頻電路和高頻電路種的特性分析
- 我們先來說說電容，都說大電容低頻特性好,小電容高頻特性好,那么根據(jù)容抗的大小與電容C及頻率F成反比來說的話,是不是大電容不僅低頻特性好,高頻特性更好呢,因?yàn)轭l率越高,容量越大,容抗就越低,高頻就是否越容易通過大電容呢,但從大電容充放電的速度慢來說的話,高頻好像又不容易通過的,這不很矛盾嗎? 首先，高頻低頻是相對(duì)的。如果頻率太高，那么，電容的容量變得再大也沒有意義，因?yàn)?，大家知道，線圈是電感，是阻高頻的，頻率越高，阻礙作用越大。盡管電感量很小，但是，大容量電容一般都有較長(zhǎng)的引腳和較大的極板圈在一起，這
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無源器件介紹
無源器件
在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。無源元件主要是電阻類、電感類和電容
無源器件類器件，它的共同特點(diǎn)是在電路中無需加電源即可在有信號(hào)時(shí)工作。
電阻
電流通過導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體內(nèi)阻阻礙電流的性質(zhì)稱為電阻。在電路中起阻流作用的元器件稱為電阻器，簡(jiǎn)稱電阻。電阻器的主要用途是降壓、分壓或分流，在一些特殊電路中用作負(fù)載、反饋、耦合、隔離等。
電阻在電路 [ 查看詳細(xì) ]
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