晶圓級(jí) 文章 進(jìn)入晶圓級(jí)技術(shù)社區(qū)
Nexperia發(fā)布具備市場(chǎng)領(lǐng)先效率的晶圓級(jí)12和30V MOSFET
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì)，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開關(guān)
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史密斯英特康推出晶圓級(jí)封裝測(cè)試頭Volta 200 系列
- 便攜式及手持智能電子設(shè)備的小型化對(duì)芯片功能集成的要求日益復(fù)雜,芯片的微型化及引腳間距越來越小給產(chǎn)品的最終測(cè)試帶來了技術(shù)挑戰(zhàn)和成本壓力,也讓越來越多的客戶采用晶圓級(jí)封裝測(cè)試和晶圓級(jí)芯片封裝測(cè)試的方案。史密斯英特康推出的Volta系列測(cè)試頭適用于200μm間距及以上晶圓級(jí)封裝測(cè)試,為高可靠性WLP(晶圓級(jí)封裝)、WLCSP(晶圓級(jí)芯片封裝)和KGD(已確認(rèn)的好的裸片)測(cè)試提供更多優(yōu)勢(shì),可滿足客戶對(duì)更高引腳數(shù)、更小間距尺寸、更高頻率和更高并行度測(cè)試的要求。Volta獨(dú)特的設(shè)計(jì)具有極短的信號(hào)路徑,低接觸電阻,可實(shí)
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IC芯片的晶圓級(jí)射頻測(cè)試
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： IC芯片 晶圓級(jí) 射頻測(cè)試 I-V/C-V測(cè)試
一種創(chuàng)新的晶圓級(jí)熱載子并行測(cè)試方法
- 引言
隨著VLSI集成度的日益提高，MOS器件尺寸不斷縮小至亞微米乃至深亞微米，熱載子效應(yīng)已成為最嚴(yán)重的可靠性問題之一。現(xiàn)今,為了降低成本,減少周期,不斷的提高工藝,晶圓級(jí)的器件可靠性測(cè)試愈來愈被廣泛的應(yīng)用。縱觀 - 關(guān)鍵字： 創(chuàng)新 并行測(cè)試 晶圓級(jí) 方法
用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級(jí)有源像素CMOS圖像傳感器
- 摘要: 本文以使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)和有源像素架構(gòu)的CMOS有源像素傳感器為研究對(duì)象。該傳感器專為X射線成像系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標(biāo)準(zhǔn)0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對(duì)角長度略大于190mm。本文對(duì)傳感器的圖紙?jiān)O(shè)計(jì)、拼接圖和已得到開發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
- 關(guān)鍵字： CMOS X射線 電源技術(shù) 晶圓級(jí) 模擬技術(shù) 圖像傳感器 有源像素 其他IC 制程 設(shè)備診斷類
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晶圓級(jí)介紹
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