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          東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

          • 11月2日消息,據(jù)“智新科技”官微消息,近日,首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線,完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù),使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上,工作溫度可達(dá)175℃,損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上,整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái),項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā),2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: IGBT  碳化硅  東風(fēng)  智新半導(dǎo)體  
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          智新半導(dǎo)體介紹

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