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          半導(dǎo)體材料市場增長分析

          •   隨著以消費(fèi)者為導(dǎo)向的應(yīng)用爆炸式增長,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到了極大驅(qū)動。半導(dǎo)體制造與封裝越來越多地引入各種新材料,這為半導(dǎo)體材料供應(yīng)商帶來了許多商機(jī)。美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)預(yù)測2008年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將增長4%,而全球半導(dǎo)體材料市場將增長9%,達(dá)461億美元。   隨著300mm產(chǎn)能開辟以及先進(jìn)封裝技術(shù)的推廣,材料市場增長勢頭強(qiáng)勁。1997年至2005年材料支出占芯片收入的平均比例為14%,而2007年和2008年分別為16%和20%。這種比例增長也是由于300mm產(chǎn)能開辟和先進(jìn)封裝技術(shù)的推廣,這些材料
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  材料  制造  封裝  晶圓  

          2008年一季度業(yè)務(wù)管理軟件市場增長率達(dá)17.8%

          •   賽迪顧問數(shù)據(jù)顯示:2008年一季度業(yè)務(wù)管理軟件市場繼續(xù)保持較高的增長速度,整體市場增長率達(dá)到17.8%,規(guī)模達(dá)到16.31億元,增長主要原動力來源于企業(yè)在原材料人力資源等成本壓力下,更加重視業(yè)務(wù)流程的創(chuàng)新,希望通過信息化提高企業(yè)抵御風(fēng)險(xiǎn)的能力。
          • 關(guān)鍵字: 市場  業(yè)務(wù)管理軟件  材料  

          WO3摻雜NiO的氣敏性能研究

          •   0 引 言   NiO作為一種P型半導(dǎo)體材料,因其具有穩(wěn)定而較寬的帶隙在電池材料、催化劑、氣敏材料等方面有著廣泛的應(yīng)用。以NiO為基體材料制作的氣敏元件雖然具有響應(yīng)一恢復(fù)快,穩(wěn)定性比較好等優(yōu)點(diǎn),但與N型半導(dǎo)體SnO,ZnO等氣敏材料相比,NiO的氣體靈敏度較低,這主要是因?yàn)镹iO為空穴導(dǎo)電,吸附可燃?xì)怏w后空穴減少,電阻增大,而NiO材料本身的電阻又比較高。因此,不斷改善提高NiO的氣敏性能使其具有實(shí)用性是當(dāng)前研究的重點(diǎn)所在。本文利用水熱法制備NiO對其進(jìn)行不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的WO3摻雜,研究了摻雜后NiO
          • 關(guān)鍵字: NiO  氣敏  WO3  半導(dǎo)體  材料  XRD  

          中國封裝材料投資持續(xù)增長

          •   SEMI和國際Techsearch公司共同合作,對全球半導(dǎo)體封裝材料市場進(jìn)行調(diào)研,2007年全球半導(dǎo)體封裝材料市場達(dá)到152.17億美元。從過去5年封裝材料市場數(shù)據(jù)看,中國仍是全球封裝材料生產(chǎn)重鎮(zhèn),而且是投資持續(xù)增長的地區(qū)之一。   材料種類越來越多   過去幾年,全球半導(dǎo)體封裝主要采用以下型式:CSP(芯片級封裝)、flipchip(倒焊封裝)、stackeddiepackaging(芯片堆疊封裝)及waferlevelpackag-ing(硅片級封裝)。   全球手機(jī)及其他移動電子產(chǎn)品的廣泛
          • 關(guān)鍵字: 封裝 材料  

          北京電子信息材料領(lǐng)域技術(shù)的現(xiàn)狀及優(yōu)勢

          •   一、北京電子信息材料領(lǐng)域技術(shù)的現(xiàn)狀及優(yōu)勢   北京信息產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為首都經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要支柱產(chǎn)業(yè),2006年,北京信息產(chǎn)業(yè)的工業(yè)增值超過1300億,占全市GDP的16.6%,信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展強(qiáng)勁拉動了我市電子信息材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。目前,北京電子信息材料領(lǐng)域已經(jīng)初具規(guī)模,整體技術(shù)水平居于國內(nèi)領(lǐng)先地位。優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)主要集中在集成電路配套材料、光電顯示材料和磁性材料三大領(lǐng)域。   首先我們來看集成電路配套材料領(lǐng)域。北京聚集了中科院半導(dǎo)體所、中科院物理所、有色金屬研究總院等多家國家半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的頂尖級科研機(jī)構(gòu),
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  電子信息  材料  半導(dǎo)體  元器件用材料  

          07年半導(dǎo)體設(shè)備采購保守 銷售額小增3%

          •   國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)于近日在日本舉行的SEMICON Japan展會上,公布了年終資本設(shè)備銷售預(yù)測報(bào)告(SEMI Capital Equipment Consensus Forecast),預(yù)計(jì)2007年半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將達(dá)到416.8億美元,比2006年增長3%。   SEMI指出,在2006年半導(dǎo)體設(shè)備支出大幅增長23%之后,今年的設(shè)備采購相對保守,第三季的全球半導(dǎo)體設(shè)備出貨額為111.3億美元,比第二季微增1%,呈現(xiàn)平穩(wěn)增長。SEMI進(jìn)一步預(yù)測,2008年的整體半導(dǎo)體設(shè)備市場
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導(dǎo)體  設(shè)備  材料  

          需求減少材料價(jià)格上漲 連接器面臨下滑

          •   iSuppli預(yù)測,今年全球連接器市場營收與2006年的420億美元相比,將上升8.1%,達(dá)到464億美元。與之相對的是2006年連接器營收上升了9.2%。   2006年上半年連接器需求勢態(tài)令人出乎意料,十分強(qiáng)勁,接著在2007年上半年有所下滑。連接器業(yè)務(wù)減速的一個(gè)重要原因是美國經(jīng)濟(jì)發(fā)展速度開始減緩。如果美國經(jīng)濟(jì)下滑到不景氣的程度,則有可能威脅全球連接器產(chǎn)業(yè)增長。   不過由于制造商將業(yè)務(wù)運(yùn)作轉(zhuǎn)移到亞洲,該地區(qū)的連接器產(chǎn)業(yè)有望在2007年保持全球領(lǐng)先的水平,而不受美國經(jīng)濟(jì)的影響。推動連接器銷量增
          • 關(guān)鍵字: 連接器  消費(fèi)電子  材料  制造商  元件  制造  銅價(jià)  連接器  

          “明日芯片”的新材料、新封裝

          •   過去十年,「摩爾定律」即將告終的警訊不斷被提及。但是麻省理工學(xué)院(MIT)的新興技術(shù)大會(Emerging Technologies Conference)的研究人員最近表示,摩爾定律的告終或許會比預(yù)期更快,因?yàn)镃MOS的升級已經(jīng)越來越不容易與摩爾定律平衡了。摩爾定律或許在最近十年就會不敷使用,而這會引導(dǎo)他們?nèi)ラ_發(fā)新材料與封裝方式。   “即使我們可以繼續(xù)維持摩爾定律,但如果我們不關(guān)心,效能可能會開始降低?!盜BM研究部門資深經(jīng)理David Seeger于會議中以“明日芯片”為題的演講中如此告訴與會
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  摩爾定律  材料  封裝  封裝  

          MLCC貼片電容在設(shè)計(jì)制造中的材料選用

          •   瓷粉:它是產(chǎn)品質(zhì)量水平高低的決定性因素,采用技術(shù)不成熟的瓷粉材料會存在重大的質(zhì)量事故隱患。   進(jìn)口:北美中溫?zé)Y(jié)瓷粉、日本高溫?zé)Y(jié)瓷粉均較成熟。   國產(chǎn)材料:I類低K值瓷粉較成熟。  ?。ㄈ揠娮涌萍脊揪捎妹绹M(jìn)口瓷粉設(shè)計(jì)制造COG、X7R類中高壓MLCC產(chǎn)品,低壓產(chǎn)品選用日本進(jìn)口瓷粉設(shè)計(jì)制造。)   內(nèi)漿:它是產(chǎn)品質(zhì)量水平關(guān)鍵因素,基本要求是與瓷粉材料的匹配性好,如采用與瓷粉材料匹配性不良的內(nèi)漿制作MLCC,其可靠性會大大下降。   端漿:它是產(chǎn)品性能高低的重要因素,如端漿選用不當(dāng)
          • 關(guān)鍵字: MLCC  貼片電容  材料  設(shè)計(jì)  電容器  

          中國電子元件向關(guān)鍵材料與技術(shù)進(jìn)軍

          • 在過去的20年間,中國電子元件行業(yè)走過了飛速發(fā)展的歷程,在總體規(guī)模不斷突破的同時(shí),企業(yè)效益和行業(yè)集約度也在不斷提高。不過,在電子元件升級換代的歷史機(jī)遇下,如何從電子元件大國走向電子元件強(qiáng)國也成為擺在整個(gè)中國電子元件行業(yè)面前的一道難題。與會專家建議,企業(yè)應(yīng)該以發(fā)展新型高端元件為方牽引,以關(guān)鍵材料和關(guān)鍵技術(shù)為突破口,全面提升中國電子元件產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和技術(shù)水平。  20年發(fā)展破千億,向效益型企業(yè)轉(zhuǎn)變 中國電子元件行業(yè)協(xié)會信息中心提供的數(shù)字顯示,電子元件百強(qiáng)企業(yè)總體銷售收入在2006年首次突破千億元大
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  電子元件  材料  技術(shù)  元器件用材料  

          萊爾德科技推出T-GARD 20導(dǎo)熱絕緣材料

          •   萊爾德科技推出經(jīng)濟(jì)型高性能導(dǎo)熱絕緣材料T-GARD 20。這一產(chǎn)品是針對電腦的供電電源而設(shè)計(jì)的。   T-gard 20的介質(zhì)擊穿電壓(DBV)為9000 Vac,具有很高的電氣可靠性??蛻舨槐?fù)?dān)心他們的應(yīng)用系統(tǒng)的電介質(zhì)絕緣問題。T-gard 20的介質(zhì)擊穿電壓是競爭對手的兩倍。   “這項(xiàng)產(chǎn)品使用厚度為0.05 mm電氣級聚脂,介電強(qiáng)度是始終一致的?!比R爾德科技導(dǎo)熱絕緣材料全球產(chǎn)品經(jīng)理Robert Kranz說道。“相變涂敷層的表面濕潤性很
          • 關(guān)鍵字: 20  T-GARD  材料  導(dǎo)熱  電源技術(shù)  絕緣  萊爾德  模擬技術(shù)  

          全球IC構(gòu)裝材料產(chǎn)業(yè)回顧與展望

          •        一、全球IC構(gòu)裝產(chǎn)業(yè)概況      由全球的IC封測產(chǎn)能利用率來看,2005年上半的產(chǎn)能利用率是從2004年第三季的巔峰開始逐漸下滑,但到2005年第二季時(shí)已跌落谷底,并開始逐季向上攀升,在2005年底時(shí)全球的封測產(chǎn)能利用率已達(dá)八成左右,整體表現(xiàn)可說是一季比一季好。2005年全球IC構(gòu)裝市場在2004年的增長力道延續(xù)之下,全球2005年的IC構(gòu)裝產(chǎn)值達(dá)到303億美元,較2004年增長10.9%,預(yù)期在半導(dǎo)體景氣逐步加溫下,2006年可達(dá)336億美元。
          • 關(guān)鍵字: IC  材料  產(chǎn)業(yè)  封裝  封裝  

          06年半導(dǎo)體材料市場穩(wěn)中有升增長7.2%

          •     國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(SEMI)分析師Dan Tracy日前預(yù)計(jì),2006年總體材料市場增長7.2%,將從2005年的179.53億美元增長至192.4億美元。Tracy曾預(yù)計(jì)該領(lǐng)域在2005年會獲得6%的年度增長,而后由臺灣工研院經(jīng)資中心(IEK)公布的實(shí)際增長率為5.8%。     分析師指出,在300毫米晶圓技術(shù)驅(qū)動下,預(yù)計(jì)全球硅晶圓材料市場在未來幾年將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長。2006年硅晶圓市場預(yù)計(jì)增長7.4%,從2
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  材料  市場  

          06年半導(dǎo)體材料市場穩(wěn)中有升硅晶圓增長

          •   國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(SEMI)分析師Dan Tracy日前預(yù)計(jì),2006年總體材料市場增長7.2%,將從2005年的179.53億美元增長至192.4億美元。Tracy曾預(yù)計(jì)該領(lǐng)域在2005年會獲得6%的年度增長,而后由臺灣工研院經(jīng)資中心(IEK)公布的實(shí)際增長率為5.8%。   分析師指出,在300毫米晶圓技術(shù)驅(qū)動下,預(yù)計(jì)全球硅晶圓材料市場在未來幾年將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長。2006年硅晶圓市場預(yù)計(jì)增長7.4%,從2005年的82.02億美元增長到2006年的89.88億美元。   Tracy
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  材料  硅晶圓  市場  其他IC  制程  
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