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揚(yáng)杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品,采用SGT工藝
- 4月8日消息,揚(yáng)杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品,采用先進(jìn)的SGT (Shield Gate Trench MOSFET) 制程工藝,針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS等應(yīng)用設(shè)計(jì),優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時(shí),提升MOSFET抗沖擊電流能力。N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等,是其核
- 關(guān)鍵字: MOSFET 楊杰科技
最全!20V到1700V全覆蓋的國(guó)產(chǎn)MOSFET功率器件,工溫最高175℃
- 中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè):揚(yáng)杰科技(YANGJIE)· 主要產(chǎn)品:中低壓MOSFET(VDSS:20V-150V)和高壓MOSFET(VDSS:500V-900V)· 廠牌優(yōu)勢(shì):專注于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測(cè)試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,,通過了ISO9001,ISO14001,IATF16949等認(rèn)證,連續(xù)數(shù)年評(píng)為中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)。國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的的分立器件研發(fā)企業(yè):長(zhǎng)晶科技(JSCJ)· 主要產(chǎn)品:覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優(yōu)勢(shì):專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
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