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瑞薩科技與松下開發(fā)可實現45nm工藝傳統(tǒng)CMOS穩(wěn)定工作的片上SRAM制造技術
- 瑞薩科技公司與松下電器產業(yè)有限公司宣布共同開發(fā)出一種可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS*1的SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)穩(wěn)定工作的技術,這種SRAM可以嵌入在SoC(系統(tǒng)級芯片)器件和微處理器(MPU)當中。采用這種技術的512Kb SRAM的實驗芯片的測試已經得到證實,可以在寬泛的溫度條件下(-40℃-125℃)穩(wěn)定工作,而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產的用于實驗的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲單元設計,一個元件面積僅有0.327μm
- 關鍵字: 45nm工藝 SRAM制造技術 傳統(tǒng)CMOS 單片機 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩科技 松下開 存儲器
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