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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 極紫外光刻

          極紫外光刻新技術問世,超越半導體制造業(yè)的標準界限

          • 據(jù)科技日報報道稱,日本沖繩科學技術大學院大學(OIST)官網(wǎng)最新報告,該校設計了一種極紫外(EUV)光刻技術,超越了半導體制造業(yè)的標準界限。基于此設計的光刻設備可采用更小的EUV光源,其功耗還不到傳統(tǒng)EUV光刻機的十分之一,從而降低成本并大幅提高機器的可靠性和使用壽命。在傳統(tǒng)光學系統(tǒng)中,例如照相機、望遠鏡和傳統(tǒng)的紫外線光刻技術,光圈和透鏡等光學元件以軸對稱方式排列在一條直線上。這種方法并不適用于EUV射線,因為它們的波長極短,大多數(shù)會被材料吸收。因此,EUV光使用月牙形鏡子引導。但這又會導致光線偏離中心軸
          • 關鍵字: 極紫外光刻  半導體制造  標準界限  

          EUV光刻機訂單少了?ASML下調(diào)Q1季度營收預期 暫停股票回購

          • 由于COVID-19新冠病毒在全球的蔓延,多個行業(yè)的生產(chǎn)、消費都受到影響了,半導體行業(yè)也不例外。ASML公司今天宣布下調(diào)Q1季度營收預期,同時暫停股票回購,不過他們沒公布EUV光刻機出貨量是否受影響了。今年1月份ASML公司發(fā)布了2019年Q4及全年財報,2019年交付了26臺EUV光刻機,預計2020年交付35臺EUV光刻機,2021年則會達到45臺到50臺的交付量,是2019年的兩倍左右。展望2020年Q1季度,ASML之前預計營收31到33億歐元之間,毛利率46%到47%之間,研發(fā)費用約為5.5億歐
          • 關鍵字: 阿斯麥  光刻機  極紫外光刻  

          ASML研發(fā)下一代EUV光刻機:分辨率提升70% 逼近1nm極限

          • 在EUV光刻機方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機,去年出貨26臺,創(chuàng)造了新紀錄。據(jù)報道,ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機,預計在2022年開始出貨。根據(jù)ASML之前的報告,去年他們出貨了26臺EUV光刻機,預計2020年交付35臺EUV光刻機,2021年則會達到45臺到50臺的交付量,是2019年的兩倍左右。目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C,兩者基本結構相同,但NXE:3400C采用模塊化設計,維護更加便捷,平均維修時間將從48小時縮
          • 關鍵字: 光刻機  極紫外光刻  

          ASML研發(fā)下一代EUV光刻機:分辨率提升70% 逼近1nm極限

          • 在EUV光刻機方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機,去年出貨26臺,創(chuàng)造了新紀錄。據(jù)報道,ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機,預計在2022年開始出貨。根據(jù)ASML之前的報告,去年他們出貨了26臺EUV光刻機,預計2020年交付35臺EUV光刻機,2021年則會達到45臺到50臺的交付量,是2019年的兩倍左右。目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C,兩者基本結構相同,但NXE:3400C采用模塊化設計,維護更加便捷,平均維修時間將從48小時縮
          • 關鍵字: 光刻機  極紫外光刻  

          中芯國際稱7nm EUV光刻機問題已解決 技術研發(fā)步入正軌

          • 在半導體工藝進入10nm節(jié)點之后,制造越來越困難,其中最復雜的一步——光刻需要用到EUV光刻機了,而后者目前只有荷蘭ASML阿斯麥公司才能供應。中芯國際去年也訂購了一臺EUV光刻機,日前該公司表示與ASML之間已解決光刻機的問題,EUV技術研發(fā)步入正軌。前不久有消息稱ASML停止對中芯國際供應EUV光刻機,隨后ASML公司表示不是停供,而是延期,主要是在準備該國政府的出口申請文本工作。中芯國際董事長周子學日前在韓國訪問,韓媒報道稱周子學表態(tài)已經(jīng)解決了與ASML之間就光刻機供應存在的問題,強調(diào)中芯國際在先進
          • 關鍵字: 光刻機  極紫外光刻  

          ASML發(fā)布Q2季度財報 EUV光刻機產(chǎn)能大增

          • 掌握全球唯一EUV光刻機研發(fā)、生產(chǎn)的荷蘭ASML(阿斯麥)公司今天發(fā)布了2019年Q2季度財報,當季營收25.68億歐元,其中凈設備銷售額18.51億歐元,總計出貨了41臺光刻機,其中EUV光刻機7臺。
          • 關鍵字: 阿斯麥  極紫外光刻  EUV  

          光刻膠材料的重大突破 極紫外光刻邁向實用

          • 新式半導體光刻技術中,極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一,不過其實現(xiàn)難度也相當高,從上世紀八十年代 ...
          • 關鍵字: 光刻膠  極紫外光刻  
          共7條 1/1 1

          極紫外光刻介紹

            目錄   1 定義   2 概述   3 背景   4 展望   定義   極紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography),常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm 的軟x 射線。   概述   EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能 [ 查看詳細 ]

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