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國產(chǎn)芯片真金質(zhì)！基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測試“火”力全開

• 挑戰(zhàn)驕陽火焰山，何須芭蕉借又還。國產(chǎn)芯片真金質(zhì)，不懼火煉過樓蘭。——鄭廣州國創(chuàng)中心副總經(jīng)理8月14日，國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心（簡稱“國創(chuàng)中心”）邀請基本半導(dǎo)體等13家國內(nèi)整車和半導(dǎo)體企業(yè)的專家，實地開展“中國車規(guī)半導(dǎo)體首批測試驗證項目吐魯番高溫試驗”活動，并舉行了車規(guī)半導(dǎo)體測試驗證項目高溫測試技術(shù)研討會。自2019年7月底開始，國創(chuàng)中心攜搭載了國產(chǎn)自主硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅二極管和碳化硅MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的4輛試驗車，在吐魯番進行為期一個月的“極限高溫”
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