柵極 文章 進(jìn)入柵極技術(shù)社區(qū)
干貨碼住丨深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項
- IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路一?了解基本驅(qū)動器圖 2. IGBT的導(dǎo)通電流了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個方向上硬驅(qū)動?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動
- 關(guān)鍵字： IGBT 柵極 驅(qū)動
柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應(yīng)具有魯棒性
- 當(dāng)今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設(shè)備保持強(qiáng)靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實現(xiàn)激進(jìn)的溝道長度縮放。自從在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中引入場效應(yīng)晶體管 (FET) 以來，理論和應(yīng)用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項改進(jìn)。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
- 關(guān)鍵字： 柵極 FET
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時
- 具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為。本文的關(guān)鍵要點1 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對
- 關(guān)鍵字： ROHM 橋式結(jié)構(gòu) 柵極
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時
- 在功率開關(guān)器件最常見的應(yīng)用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎(chǔ)知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作”和這篇文章所依據(jù)的應(yīng)用指南“橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動作情況?！?nbsp; 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MO
- 關(guān)鍵字： 羅姆 柵極，橋式結(jié)構(gòu)
用柵極驅(qū)動器集成電路制作的100Ｗ數(shù)字功率放大
- 當(dāng)數(shù)字功率放大器的輸出功率大于50W之后，就無法只用單片全集成的集成電路來構(gòu)成放大器，必須采用柵極驅(qū)動器集 ...
- 關(guān)鍵字： 柵極 驅(qū)動器 集成電路 數(shù)字功率放大
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柵極介紹
由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中最靠近陰極的一個電極，具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線的形狀，插在電子管另外兩個電極之間,起控制板極電流強(qiáng)度、改變電子管性能的作用。
在場效應(yīng)管中,柵極是由英文gate electrode翻譯而來的.位置類似于晶體三極管中的Gate. [ 查看詳細(xì) ]
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