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柵極電壓文章進入柵極電壓技術社區(qū)

輕松驅動CoolSiC? MOSFET：柵極驅動設計指南

由米勒電容引起的寄生導通效應，常被認為是當今碳化硅MOSFET應用的一大缺陷。為了避免這種效應，在硬開關變流器的柵極驅動設計中，通常采用負柵極電壓關斷。但是這對于CoolSiC? MOSFET真的有必要嗎？引言選擇適當?shù)臇艠O電壓值是設計所有柵極驅動的關鍵。借助英飛凌的CoolSiC MOSFET技術，設計人員能夠選擇介于15-18 V之間的開通柵極電壓，從而讓開關擁有最佳的載流能力或抗短路能力。而柵極關斷電壓值只需要確保器件能夠安全地關斷。英飛凌建議設計人員將MOSFET分立器件的關斷電壓定為0 V，從而
關鍵字： MOSEFT 柵極電壓

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柵極電壓介紹

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