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柵極絕緣層
柵極絕緣層 文章 進(jìn)入柵極絕緣層技術(shù)社區(qū)
第10講:SiC的加工工藝(2)柵極絕緣層
- 柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝,重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過(guò)與Si類似的熱氧化過(guò)程,在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)。在平面柵SiC MOSFET中,這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜,并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而,SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異,在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。首先,與Si相比,SiC的熱氧化速率低。因此,該過(guò)程需要很長(zhǎng)時(shí)間,而且還需要高溫。在SiC的熱氧
- 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī) SiC 柵極絕緣層
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柵極絕緣層介紹
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