- IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關斷 BJT，必須在每個方向上硬驅動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅動為高電平時，會存在一個從雙
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安森美 IGBT 柵極驅動
- 牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構建下一代牽引逆變器系統，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 來實現更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅動器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅動逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監(jiān)測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據汽車安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求，柵極驅
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TI 柵極驅動
- 在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
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SiC MOSFET 柵極驅動 安森美
- 通過集成反激式控制器，ACPL-302J 器件允許在器件旁邊放置更少的分立元件和更小的變壓器和電容器，從而減少設計的整體尺寸并限度地減少電磁干擾 (EMI) 和 IGBT 通道之間的噪聲耦合。通過減少設計中的這些元素，設計人員可以實現顯著的成本節(jié)約。新型 ACPL-302J 是一款智能柵極驅動光電耦合器，可改進隔離電源并簡化柵極驅動設計。ACPL-302J 具有用于 DC-DC 轉換器的集成反激式控制器和全套故障安全 IGBT 診斷、保護和故障，提供完整的經濟高效的柵極驅動解決方案（圖 1）。該器件具有
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CODACA 柵極驅動
- 本設計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應用中的功率開關器件選用合適的隔離柵極驅動器，并介紹實戰(zhàn)經驗。上兩期分別講解了隔離式柵極驅動器的介紹與選型指南以及使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅動器的電源、濾波設計與死區(qū)時間控制，本文為第三部分，將為大家?guī)碓O計中的要點和PCB布局指南。設計驅動器VCC時，關于上電延遲有哪些注意事項？對于所使用的驅動器，要設計一個高能效且快速的電路，啟動時間是一個重要因素。因此，啟動時間必須要短。但是，啟動時間受上電延遲的限制，上電延遲是指驅動器使能到首次柵極輸出的時間。
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安森美 柵極驅動
- 本文講述了一種運用功率型MOSFET和IGBT設計高性能自舉式柵極驅動電路的系統方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開關應用場合。不同經驗的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數開關應用中，開關功耗主要取決于開關速度。因此，對于絕大部分本文闡述的大功率開關應用，開關特性是非常重要的。自舉式電源是一種使用最為廣泛的，給高壓柵極驅動集成電路(IC)的高端柵極驅動電路供電的方法。這種自舉式電源技術具有簡單，且低成本的優(yōu)點。但是，它也有缺點，一是占空比受到自舉電容刷新電荷所需時間的限制，二是當開關器件的源極接負電
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onsemi 柵極驅動
- TI推出的功能安全柵極驅動UCC5870-Q1，旨在幫助客戶實現電驅系統功能安全ASIL-D等級。其內部集成了豐富的保護以及診斷機制，對柵極驅動器本身以及開關管進行保護，可優(yōu)化設計成本，簡化設計復雜度。本文將對UCC5870-Q1內置的這部分診斷保護機制進行概述。柵極驅動器保護 對UCC5870-Q1本身進行監(jiān)控保護的機制主要是過溫警示（TWN），熱關斷（TSD）以及豐富的內部自檢（BIST）。過熱保護（TWN和TSD）是在IC上電后運行過程中持續(xù)監(jiān)控的。分成原邊和副邊的TWN和TSD。其中，T
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TI 柵極驅動
- 中國上海，2022年8月31日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布擴大其智能柵極驅動光耦產品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅動IC，內置保護操作自動恢復的功能。該產品于今日開始出貨。 TLP5222持續(xù)監(jiān)測其驅動的功率器件的漏極-源極電壓（VDS）[1]或集電極-發(fā)射極電壓（VCE）[2]。內置的過流檢測與保護功能可檢測出功率器件中因過流導致的任何VDS或VCE上升，并執(zhí)行
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東芝 柵極驅動 光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動IC產品中新增五款適用于可穿戴設備等移動電子設備的產品。該系列的新產品配備了過電壓鎖定功能，能根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
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MOSFET 柵極驅動
- Wolfgang?Frank?（英飛凌） 摘?要：電力電子系統（如馬達）中的開關損耗降低受到電磁干擾（EMI）或開關電壓斜率等參數的限制。通常是通過選擇有效的功率晶體管柵極電阻來解決這一問題。但這在運行中是無法自主進行調整的?！ ”疚膶⒔榻B一種通過并聯常規(guī)柵極驅動芯片來攻克這一難題的簡單方法。文中還介紹了與開通能耗改進有關的表征數據的評估?！ ￡P鍵詞：馬達；開關損耗；EMI；開關電壓斜率；柵極驅動 0 引言 連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型，一般有2個優(yōu)化目標。首先，應通過選擇電阻值較小的
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202006 馬達 開關損耗 EMI 開關電壓斜率 柵極驅動
- 在我的上一篇關于EE時代的電源技巧博文中，我討論了如何使用一個雙開關反激式電路來提升低功耗隔離式轉換器的效率。與單開關反激式電路相比，雙開關反激式電路的主要代價就是需要一個浮動的高側驅動。一個柵極驅動變
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柵極驅動 變壓器
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高度緊湊的AUIR08152S車用柵級驅動IC。新產品具備超過10A的大電流輸出，可以幫助汽車級和工業(yè)級大功率開關應用縮減系統尺寸、提升性能。
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IR 柵極驅動
- 服務器、平板電腦、筆記本電腦、電信、游戲和通用負載點(POL)調節(jié)器應用設計人員正在不斷尋找能提升設計中效率的方法，以便滿足能源標準、延長電池壽命并降低總體擁有成本。
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飛兆 POL 柵極驅動
- 電源設計中IC驅動電流不足的解決方法,在電源設計中，工程師通常會面臨控制IC驅動電流不足的問題，或者面臨由于柵極驅動損耗導致控制IC功耗過大的問題。為緩解這一問題，工程師通常會采用外部驅動器。中心議題：
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電源設計 驅動IC 柵極驅動
- 摘要：本文介紹了一種“零電壓開關(ZVS)降壓”的新型降壓穩(wěn)壓器拓撲，說明了其給系統帶來的優(yōu)勢和其在Picor Cool-Power ZVS降壓穩(wěn)壓器系列產品中的集成。
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穩(wěn)壓器 柵極驅動 MOSFET 201211
柵極驅動介紹
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