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柵漏電流文章進(jìn)入柵漏電流技術(shù)社區(qū)

MOSFET柵漏電流噪聲分析

CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄，柵漏電流越 ...
關(guān)鍵字： MOSFET 柵漏電流噪聲分析

MOSFET柵漏電流噪聲模型的分析與研究

關(guān)鍵字：柵漏電流柵介質(zhì) 噪聲模型

共2條 1/1 1

柵漏電流介紹

PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流。目錄 1 電源 2 電容 3 計算公式 4 相關(guān)詞條 5 參考資料柵漏電流-電源開關(guān)電源中為了減少干擾，按照國標(biāo)，必須設(shè)有EMI濾波器電路。由于EMI電路的關(guān)系，使得在開關(guān)電源在接上市電后對地有一個微小的電流，這就是柵漏電流。如果不接地，計算機(jī)的外殼會對地帶有110伏電壓，用手摸會有麻的感覺，同時對計算 [ 查看詳細(xì) ]

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