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“單正向”柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路

　　目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。　　為了理解dV/dt感生開通現(xiàn)象，我們必須考慮跟
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