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          極紫外光刻新技術(shù)問世,超越半導(dǎo)體制造業(yè)的標準界限

          • 據(jù)科技日報報道稱,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)官網(wǎng)最新報告,該校設(shè)計了一種極紫外(EUV)光刻技術(shù),超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標準界限?;诖嗽O(shè)計的光刻設(shè)備可采用更小的EUV光源,其功耗還不到傳統(tǒng)EUV光刻機的十分之一,從而降低成本并大幅提高機器的可靠性和使用壽命。在傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)中,例如照相機、望遠鏡和傳統(tǒng)的紫外線光刻技術(shù),光圈和透鏡等光學(xué)元件以軸對稱方式排列在一條直線上。這種方法并不適用于EUV射線,因為它們的波長極短,大多數(shù)會被材料吸收。因此,EUV光使用月牙形鏡子引導(dǎo)。但這又會導(dǎo)致光線偏離中心軸
          • 關(guān)鍵字: 極紫外光刻  半導(dǎo)體制造  標準界限  
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          標準界限介紹

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