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橋式結構文章進入橋式結構技術社區(qū)

橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：關斷時

具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET產品相比，在橋式結構情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關斷時的行為。本文的關鍵要點1 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對
關鍵字： ROHM 橋式結構柵極

橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：導通時

在功率開關器件最常見的應用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結構。對于橋式結構情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作”和這篇文章所依據的應用指南“橋式結構中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動作情況?！?nbsp; 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MO
關鍵字：羅姆柵極，橋式結構

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橋式結構介紹

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