- 電路的功能模擬信號的延遲大多采用BBD器件，可獲得數(shù)毫秒的延遲時間，但其S/N不好，應用范圍受到限制。延遲時間較短時，也可使用同軸電纜，但必須占用較大空間，因此往往不太現(xiàn)實。本電路使用了集中電路網(wǎng)絡構成的小
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200 20 NS 模擬
- ARM、FPGA與可編程模擬電路設計的單芯片技術綜合應用,如果世上真的有典型或者通用的嵌入式系統(tǒng)應用，主流半導體公司的產品目錄一定會薄很多?，F(xiàn)在設計人員不僅要從多種處理器架構中進行選擇(大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)設計都以處理器內核為中心)，而且外設、通信端口和模擬功能組
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技術 綜合 應用 單芯片 電路設計 FPGA 可編程 模擬 ARM
- 設計與驗證復雜SoC中可綜合的模擬及射頻模型設計用于SoC集成的復雜模擬及射頻模塊是一項艱巨任務。本文介紹的采用基于性能指標規(guī)格來優(yōu)化設計(如PLL或ADC等)的方法，可確保產生可制造性的魯棒性設計。通過這樣的設計
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SoC 模擬 射頻 模型
- 1、概述模擬訓練器激光靶是接收射擊訓練手槍發(fā)出的激光束，訓練槍由真實手槍改造而成，子彈為空爆彈，即沒有子彈頭。射擊過程膛內有壓力，手槍有后坐力，因此和實彈射擊沒有不同的感覺，能夠達到預期的訓練效果。手槍
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設計 激光 訓練器 模擬 射擊
- 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
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FET 輸入 OP放大器 模擬
- 圣邦不是以價格為導向的公司
問：本土公司的優(yōu)勢之一是價格較低？
答：總的來講一定是這樣的。對于我們的用戶來講，成本不只是器件價格；和國內很多本土企業(yè)相比，我們的價格要相對高一些，可是我們在國內還是占有了相當?shù)氖袌觥＠缡謾C部分，一些國內一線手機廠家多年持續(xù)使用我們LDO，如SGM2019、SGM2031，已累計交貨相當大的數(shù)量。
問：同行很多打價格戰(zhàn)，你們有什么應對策略？
答：我們有自己個性化的產品。我們研究客戶的需求，去做和友商不一樣的產品。例如我們最近推出了一個新系列—&mdash
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圣邦 模擬
- 很多時候，我們在初期設計或者優(yōu)化電路時，滿腦子想的都是性能如何能一點一點提高，而忽略了所謂的模擬設計的一些基本考慮;待到版圖設計時已經(jīng)晚矣。那個時候再去修改基本設計無疑是不值得，要么耗費精力，要們前功盡
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模擬IC 基礎 IC電路 模擬
- 怎么來訓練一個剛剛畢業(yè)的工程師呢?我只能從我所從事的領域出發(fā)，模擬集成電路設計，我會提供一些在其他工程領 ...
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模擬 集成電路 工程師
- 電路的功能MC1494L是雙平衡差動放大器、電壓-電流轉換電路等構成的單片模擬乘法運算IC，是一種可由外接器件設定工作條件的通用乘法電路，能夠進行4象限乘法運算，適用范圍于輸入電壓為正負10V的各種運算電路。電路工
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模擬 乘法運算 電路簡介
- Verilog模擬PS2協(xié)議的方法,PS2協(xié)議讀鍵盤值相當簡單嘛，比模擬SPI、I2C簡單多了...下面介紹一下具體過程.1.明確接線關系，只需接4根線，VCC要+5V，3.3我測試過不能用，時鐘和數(shù)據(jù)線要用bidir雙向口線，F(xiàn)PGA可以不用外接上拉電阻。另外，USB鍵盤
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方法 協(xié)議 PS2 模擬 Verilog
- 用GAL配合ISA總線模擬I2C總線時序實現(xiàn)對FI1256MK2的編程,FI1200 MK2系列電視信號前端處理器是飛利浦公司專為計算機多媒體環(huán)境下的射頻應用而設計的。FI1256 MK2是該系列中的一個型號，它體積小，結構緊湊，性能穩(wěn)定，可直接從射頻信號解調出視頻信號和音頻信號，且只需單一
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總線 實現(xiàn) FI1256MK2 編程 時序 模擬 配合 ISA GAL I2C
- 嵌入式系統(tǒng)中可配置式GPIO模擬SPI總線方法,在嵌入式系統(tǒng)處理器中有相當一部分處理器不帶SPI接口，但基丁SPI接口的設備非常豐富，此外，SPI設備的不同以及處理器對GPIO口位尋址是否支持各處理器各有不同，因而不同處理器中軟件模擬GPIO也各不相同。若能提供一種
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SPI 總線 方法 模擬 GPIO 系統(tǒng) 配置 嵌入式
- 電路的功能本電路是一種輸入單極信號的模擬“或”電路，它可以從多路輸入中取出最大電壓進行輸出。雖然本電路由3路輸入構成，但在輸入擴展端擴展多個輸入電路，應用廣泛。電路工作原理OP放大器A1~A3相當于
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輸入 單極 模擬 電路介紹
- 利用光耦實現(xiàn)模擬隔離放大電路的原理及設計本文提出了一種新的隔離放大器的設計方案，該方案結構簡單，且 ...
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光耦 模擬 隔離放大電路
- 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應仿真模型的基礎上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結構MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
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二維數(shù)值 模擬 能力 SEB MOSFET 功率
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