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模擬ic 文章 進(jìn)入模擬ic技術(shù)社區(qū)
利用TI新型在線工具選擇非隔離式POL模塊與電容器
- 現(xiàn)在，借助 TI 的全新在線選擇工具，您可以輕松快速地選擇最佳非隔離式 POL模塊與電容器。T2 系列寬輸入、非隔離式 POL 電源模塊采用 TI 申請(qǐng)專利的全新 TurboTrans 技術(shù)，能夠在瞬態(tài)負(fù)載條件下將輸出電容縮小到原來(lái)的1/8。 這款新工具使得用戶能夠輸入具體的設(shè)計(jì)參數(shù)（如 VIN、VOUT、IOUT、TA）及所需的電容器類型。然后，該工具會(huì)返回更改 T2 部件號(hào)、所需的輸出電容容量與類型，以及 TurboTrans 電阻器值
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電源污染治理技術(shù)
- 近年來(lái), 電力網(wǎng)中非線性負(fù)載的逐漸增加是全世界共同的趨勢(shì)，如變頻驅(qū)動(dòng)或晶閘管整流直流驅(qū)動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、重要負(fù)載所用的不間斷電源(UPS) 、節(jié)能熒光燈系統(tǒng)等，這些非線性負(fù)載將導(dǎo)致電網(wǎng)污染，電力品質(zhì)下降，引起供用電設(shè)備故障, 甚至引發(fā)嚴(yán)重火災(zāi)事故等。 電力污染及電力品質(zhì)惡化主要表現(xiàn)在以下方面：電壓波動(dòng)、浪涌沖擊、諧波、三相不平衡等。 1.電源污染的危害 電源污染會(huì)對(duì)用電設(shè)備造成嚴(yán)重危害，主要有： 干擾通訊設(shè)備、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)等電子設(shè)備的正常工
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高壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器的研制
- 引言 高壓鈉燈（HPSL）[1]是高強(qiáng)度放電燈（HIDL——HighIntensityDischargeLamp）中的一種，因其具有極好的光效（80～140lm/W）和合適的光波長(zhǎng)，而被廣泛用于戶外照明，如廣場(chǎng)、道路、碼頭等。但是，傳統(tǒng)的電感式的鎮(zhèn)流器存在功率因數(shù)低和自身?yè)p耗大的缺點(diǎn)。大量低功率因數(shù)電器的使用，對(duì)電網(wǎng)造成諧波污染，不但增加了供發(fā)電設(shè)備的負(fù)荷，使供發(fā)電設(shè)施得不到充分利用，而且嚴(yán)重影響其它用電設(shè)備的正常運(yùn)行。 綠色照明事業(yè)在世界范圍的蓬勃發(fā)展
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Allegro推出全橋式無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
- Allegro 推出用于驅(qū)動(dòng)器低電壓雙極無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)的全新全橋式電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器。電動(dòng)機(jī)整流可通過(guò)使用單個(gè)霍爾元件傳感器偵測(cè)極性交互環(huán)形磁鐵的旋轉(zhuǎn)位置來(lái)實(shí)現(xiàn)。高密度 CMOS 半導(dǎo)體工藝可確保整合所有必需的電子元件。有關(guān)電子元件包括霍爾元件傳感器、電動(dòng)機(jī)控制電路及全橋式輸出。已采用低電壓設(shè)計(jì)技術(shù)實(shí)現(xiàn)低至 1.8 V VDD 的器件功能。該完全集成的單芯片解決方案可增強(qiáng)可靠性（包括電池反接保護(hù)及輸出短路保護(hù)），且無(wú)需任何外部支持元件。&nb
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奧地利微電子推出單/雙路LVDS驅(qū)動(dòng)器
- 奧地利微電子公司推出單/雙路LVDS驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了低壓差分信號(hào)（LVDS）集成電路（IC）系列。 AS1154/56理想用于數(shù)字復(fù)印機(jī)、激光打印機(jī)、手機(jī)基站、電信交換機(jī)和網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)/路由器等需要高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O(shè)備。這兩款器件的電源電流是同類產(chǎn)品的一半，從而降低了LVDS接口的功耗。 新產(chǎn)品的推出再次彰顯了奧地利微電子公司在削減功耗方面的水平。在數(shù)據(jù)速率高達(dá)800Mbps的條件下，A
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NS推出高精度可編程增益放大器
- 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司(NS)宣布推出業(yè)界最高準(zhǔn)確度的可編程增益放大器，其特點(diǎn)是可以大幅提高傳感器接口應(yīng)用及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的信號(hào)調(diào)節(jié)性能，適用于工業(yè)設(shè)備及測(cè)量?jī)x表等產(chǎn)品。 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體這款型號(hào)為L(zhǎng)MP8100A的可編程增益放大器利用軟件調(diào)節(jié)增益，增益則由1V/V至16V/V，共分為16個(gè)步級(jí)，以1V/V作為一步級(jí)增減，而且在攝氏-40度至 125度的工業(yè)溫度范圍內(nèi)操作，增益準(zhǔn)確度保證可達(dá)0.03%。此外，美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體也推出型號(hào)為L(zhǎng)MP8100的半高精度級(jí)別可編
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飛兆推出單比特位雙向電壓轉(zhuǎn)換器
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出業(yè)界唯一保證工作電壓范圍在3.6V至1.1V的單比特位雙向電壓轉(zhuǎn)換器FXLH1T45，可簡(jiǎn)化超便攜式、計(jì)算、通信和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)。這款單比特位雙向電壓轉(zhuǎn)換器可在多個(gè)電壓級(jí)之間提供單向和雙向電壓轉(zhuǎn)換，從而實(shí)現(xiàn)在不同電壓級(jí)工作的處理器與電子子系統(tǒng)之間的無(wú)縫連接。FXLH1T45可工作于低至1.1V的電壓，非常適合超便攜式應(yīng)用的低功耗要求。 FXLH1T45采用飛兆半導(dǎo)體的超緊湊 (1.0
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電源管理與轉(zhuǎn)換的整合可簡(jiǎn)化電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 當(dāng)今，面向電信及數(shù)據(jù)通信市場(chǎng)的先進(jìn)電子系統(tǒng)大量依賴于高性能、精細(xì)線度數(shù)字IC（FPGA、DSP和/或ASIC）快速有效地處理對(duì)時(shí)間敏感的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。對(duì)更高帶寬的需求已迫使這些數(shù)字IC的制造商追求領(lǐng)先的工藝技術(shù)，以便在將功耗降至最低時(shí)優(yōu)化性能。但是，這一趨勢(shì)也產(chǎn)生了前幾代工藝中所沒(méi)有的多種電源管理問(wèn)題。降低內(nèi)核電壓電平提高負(fù)載電流，采用亞100納米工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)的更小芯片尺寸使這些IC中的電流密度急劇增加。此外，分離的電壓層與多核架構(gòu)的使用還迫使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供更多的獨(dú)特電壓層，以及在這些電壓之間提供特定的排序
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基于TPS54350型DC/DC變換器供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 1 引言 TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內(nèi)置MOSFET的高效DC／DC變換器．采用小型16引腳HISSOP封裝．連續(xù)輸出電流為3A時(shí)，輸入電壓范圍為4．5V~20V。該變換器極大地簡(jiǎn)化了負(fù)載電源管理的設(shè)計(jì)，使得設(shè)計(jì)人員可直接通過(guò)中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350SWIFT(采用集成FET技術(shù)的開關(guān))DC／DC變換器的效率高達(dá)90％以上，非常適用于低功耗工業(yè)與商用電源、帶液晶顯示屏(LCD)
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單端正激變壓器的設(shè)計(jì)
- 開關(guān)電源變壓器是高頻開關(guān)電源的核心元件。其作用為：磁能轉(zhuǎn)換、電壓變換和絕緣隔離。開關(guān)變壓器性能的好壞不僅影響變壓器本身的發(fā)熱和效率，而且還會(huì)影響到高頻開關(guān)電源的技術(shù)性能和可靠性。高頻開關(guān)變壓器的設(shè)計(jì)主要包括兩部分：繞組設(shè)計(jì)及磁芯設(shè)計(jì)。本文將對(duì)應(yīng)用在高頻下的單端正激變壓器的設(shè)計(jì)方法及磁芯的選擇給出較為詳細(xì)的論述。 1 單端正激變壓器原理 單端正激變壓器的原理圖如圖1所示。 單端正激變壓器又稱"buck"轉(zhuǎn)換器。因其在原邊
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反饋的基本概念
- 反饋的基本概念 1 ．概述 反饋定義為：將放大電路輸出信號(hào)（電壓或電流）的部分或全部通過(guò)一定的電路（反饋電路）回送到輸入回路的反送過(guò)程。一個(gè)反饋放大器的框圖如圖 6.1 所示。 反饋放大電路的框圖 2 ．反饋放大器分類 (1) 根據(jù)輸出端取樣對(duì)象分類 可分為電壓反饋和電流反饋兩類。電壓反饋的反饋信號(hào)取自輸出電壓，反饋量與輸出電壓成正比。如圖 6.2 （ a ）和（ b ）。電流反饋的反饋信號(hào)取自輸出電流，反饋量與輸出電流成正比。如圖 8.2 （ c ）和（ d ）。 (2) 根據(jù)與
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PN 結(jié)的形成及特性
- ＰＮ結(jié)的形成 ?。?）當(dāng)Ｐ型半導(dǎo)體和Ｎ型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，由于交界面處存在 載流子濃度的差異 ，這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散 。但是，電子和空穴都是帶電的，它們擴(kuò)散的結(jié)果就使Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)中原來(lái)的電中性條件破壞了。Ｐ區(qū)一側(cè)因失去空穴而留下不能移動(dòng)的負(fù)離子，Ｎ區(qū)一側(cè)因失去電子而留下不能移動(dòng)的正離子。這些不能移動(dòng)的帶電粒子通常稱為 空間電荷 ，它們集中在Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)交界面附近，形成了一個(gè)很薄的空間電荷區(qū)，這就是我們所說(shuō)的 ＰＮ結(jié) 。
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半導(dǎo)體三極管
- 1 三極管的結(jié)構(gòu)和分類 三極管在模擬電子電路中其主要作用是構(gòu)成放大電路。 結(jié)構(gòu)： 三個(gè)區(qū)、 二個(gè)結(jié)、 三個(gè)電極。 分類：三極管如按結(jié)構(gòu)可分為 NPN 型和 PNP 型；按所用的半導(dǎo)體材料可分為硅管和鍺管；按功率可分為大、中、小功率管；按頻率特性可分為低頻管和高頻管等。 2 電流分配和放大作用 三極管放大條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 1. 發(fā)射區(qū)發(fā)射電子形成 I E ＝ I B ＋ I C 2. 基區(qū)復(fù)合電子形成 I B
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場(chǎng)效應(yīng)管
- 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 三極管稱電流控制元件；場(chǎng)效應(yīng)管稱電壓控制元件。 場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入電阻高（最高可達(dá) 10 15 Ω）、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、耗電省等優(yōu)點(diǎn)。
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模擬ic介紹
模擬IC就是處理模擬信號(hào)的進(jìn)程電路，比如，運(yùn)算放大器，穩(wěn)壓器等，其內(nèi)部的主要晶體管大部分工作在放大狀態(tài)。其輸入輸出可以用外圍電路精確設(shè)定。
電子電路中的信號(hào)分為兩種，一種是數(shù)字（邏輯）信號(hào)，只有高低電平之分（1/0），另一種是模擬信號(hào)，是一種從低到高連續(xù)變化的電壓信號(hào)。前者如現(xiàn)在的手機(jī)和基站之間發(fā)送接收的信號(hào)、從CD/DVD光盤里讀出的信號(hào)等等；后者如半導(dǎo)體收音機(jī)調(diào)幅或調(diào)頻信號(hào)經(jīng)解調(diào)后的音 [ 查看詳細(xì) ]
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