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次世代內(nèi)存
次世代內(nèi)存 文章 進(jìn)入次世代內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
異業(yè)結(jié)盟潮起 次世代內(nèi)存再掀熱戰(zhàn)
- 繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開(kāi)發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料，爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮，內(nèi)存業(yè)者預(yù)期，未來(lái)ReRAM、3D NAND Flash、相變化內(nèi)存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機(jī)存取內(nèi)存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內(nèi)存，將會(huì)有一番激烈競(jìng)爭(zhēng)。
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) ReRAM 次世代內(nèi)存
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次世代內(nèi)存介紹
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